| 发明名称 | 具有变化的铜金属化成分的阻障层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的各种实施方式提供了改进的工艺和系统，该工艺和系统生产具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层。具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层使得具有高氮浓度的阻障层末端与电介质层有良好的粘着性，且具有低氮浓度(或富含金属)的阻障层末端与铜有良好的粘着性。提供一种在互连结构上沉积阻障层的方法。该方法包括(a)提供原子层沉积环境，(b)在该原子层沉积环境中，在第一相位沉积期间，在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层。该方法还包括(c)在该原子层沉积环境中，在第二相位沉积期间，继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。 | ||
| 申请公布号 | CN101595550A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200780040881.8 | 申请日期 | 2007.10.18 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 衡石·亚历山大·尹;弗里茨·雷德克 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种在互连结构上沉积阻障层的方法，包含：(a)提供原子层沉积环境；(b)在该原子层沉积环境中，在第一相位沉积期间，在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层；及(c)在该原子层沉积环境中，在第二相位沉积期间，继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||