| 发明名称 | 栅介电层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅介电层的制造方法，先提供一基底，基底包括高压组件区与低压组件区，且基底中已形成有多个隔离结构，这些隔离结构凸出于基底。之后于基底上形成一层高压栅介电层，然后于高压组件区的高压栅介电层上形成保护层。接着，进行干式蚀刻步骤，移除低压组件区的部分高压栅介电层。继而进行湿式蚀刻步骤，移除低压组件区剩余的高压栅介电层。而后，移除保护层，并且于低压组件区的基底上形成一层低压栅介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN100565838C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200710104426.1 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 倪志荣;韩敬仁;罗文勋 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 田 野 |
| 主权项 | 1.一种栅介电层的制造方法，该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底包括一高压组件区与一低压组件区，且该基底中已形成有多个隔离结构，所述多个隔离结构凸出于该基底；于该基底上形成一高压栅介电层；于该高压组件区的该高压栅介电层上形成一保护层；进行一干式蚀刻步骤，移除该低压组件区的部分该高压栅介电层；进行一湿式蚀刻步骤，移除该低压组件区剩余的该高压栅介电层，所述多个隔离结构与该基底表面的交界处高于该基底的转角表面；移除该保护层；以及于该低压组件区的该基底上形成一低压栅介电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||