| 主权项 |
1.一种半导体物件电镀装置,其用以电镀半导体物件的正面,包括:一物件支撑;一阳极;一液态导体可在施用电力时与该物件形成电流接触;及一腔,其可在该液态导体与该物件形成电流接触时支撑该液态导体。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该液态导体选自包括铟、锡、镓、汞、酸溶液及盐溶液。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该液态导体选自包括一合金或选自包括铟、锡、镓、汞、酸溶液及盐溶液的混合物。4.如申请专利范围第1项之装置,其更包括一线路连至该液态导体,其中该线路可提供一电动势至该液态导体。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该液态导体可提供一电动势至该物件之周围边缘。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该液态导体可提供一电动势至该物件之周围边缘的预定区域。7.如申请专利范围第1项之装置,其更包括:一管可防止该液态导体接到该物件之背面;一密封可防止该液态导体接触到该物件之正面。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该管可充填气体。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该管的截面及该密封的截面形成该腔之一部份。10.如申请专利范围第1项之装置,其更包括:一个或多个储存槽可储存该液态导体;一个或多个进料通道,其中该一个或多个进料通道用以使该液态导体自该一个或多个储存槽流至该腔中;及一个或多个出料通道,其中该一个或多个出料通道用以将液态导体自该腔中移出。11.如申请专利范围第1项之装置,其中该液态导体与该物件形成电流接触以使在该物件正面上之电镀实质均匀一致。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该实质均匀度系在该液态导体与该物件周围边缘之预定区域形成电流接触时获得。13.如申请专利范围第1项之装置,其中该液态导体包括一金属粉末。14.如申请专利范围第1项之装置,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。15.一种半导体物件电镀装置,其用以电镀半导体物件的正面,包括:一物件支撑;一阳极;一管可与该物件形成电流接触,其中该管涂覆一导电材料并在施用电力时提供该物件一电动势。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该管充填气体。17.如申请专利范围第15项之装置,其中该管由一弹性体或一加强弹性体中之其一制成。18.如申请专利范围第15项之装置,其中该导电材料包括一金属与一聚合物中之其一。19.如申请专利范围第15项之装置,其中更包括一线路连至该液态导体,其中该线路可提供一电动势至该液态导体。20.如申请专利范围第15项之装置,其中该液态导体可提供一电动势至该物件之周围边缘。21.如申请专利范围第15项之装置,其中该液态导体可提供一电动势至该物件之周围边缘的预定区域。22.如申请专利范围第15项之装置,其更包括一密封置于该管与该物件正面间,其中该密封可避免一电镀溶液接触到该管。23.如申请专利范围第15项之装置,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。24.一种电镀半导体物件表面的方法,该方法包括以下步骤:支撑该物件以使该物件表面曝露于一电镀液中,该电镀液在一阳极与该物件间流动;利用一液态导体提供一电动势至该物件之周围边缘;利用该电镀液电镀该物件之该表面。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该提供电动势至该液态导体的步骤包括施加电动势至一结合至该液态导体的线路。26.如申请专利范围第24项之方法,其更包括以下步骤:充胀该管,其中该充胀后之管可防止该液态导体触及该物件之背面;及注入该液态导体至一由该管形成部份之腔中。27.如申请专利范围第24项之方法,其更包括以下步骤:将液态导体从一储存槽经由一进料通道注入该腔中;经由一出料通道将该液态导体自该腔中移出。28.如申请专利范围第24项之方法,其中该液态导体选自包括铟、锡、镓、汞、酸溶液及盐溶液。29.如申请专利范围第24项之方法,其中该液态导体包括一合金或选自包括铟、锡、镓、汞、酸溶液及盐溶液的混合物。30.如申请专利范围第24项之方法,其中该物件之周围边缘包括该物件之整个周围边缘。31.如申请专利范围第24项之方法,其中该物件之周围边缘包括该物件之预定区域。32.如申请专利范围第24项之方法,该液态导体包括一金属粉末。33.如申请专利范围第24项之方法,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。34.一种提供电动势至半导体物件表面的方法,该方法包括以下步骤:支撑该物件;将一液态导体注入一腔中以使该液态导体与该物件之表面形成电流接触;提供一充胀管以使该管密封该物件之背面而避免其接触到该液态导体;及施加一电动势至该腔中之液态导体,因而提供该电动势至该物件表面。35.如申请专利范围第34项之方法,其中该提供电动势至该液态导体的步骤包括施加电动势至一结合至该液态导体的线路。36.如申请专利范围第34项之方法,其中该液态导体选自包括铟、锡、镓、汞、酸溶液及盐溶液。37.如申请专利范围第34项之方法,其中该液态导体包括一合金或选自包括铟、锡、镓、汞、酸溶液及盐溶液的混合物。38.如申请专利范围第34项之方法,该液态导体包括一金属粉末。39.如申请专利范围第34项之方法,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。40.一种电镀半导体物件表面的方法,该方法包括以下步骤:支撑该物件以使该物件表面曝露于一电镀液中,该电镀液在一阳极与该物件间流动;利用一涂覆导电材料之导电管提供一电动势至该物件之周围边缘;利用该电镀液电镀该物件之该表面。41.如申请专利范围第40项之方法,其更包括以下步骤:充胀该管,其中该充胀后之管与该物件之周围边缘形成电流接触;及提供电动势至该导电管。42.如申请专利范围第40项之方法,其中充胀步骤包括以气体充胀该管。43.如申请专利范围第40项之方法,其中该管由一弹性体或一加强弹性体中之其一制成。44.如申请专利范围第40项之方法,其中该提供电动势至该导电管的步骤包括施加电动势至一结合至该导电管的线路。45.如申请专利范围第40项之方法,其中该导电材料包括一金属与一聚合物中之其一。46.如申请专利范围第40项之方法,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。47.一种提供电动势至半导体物件表面的方法,该方法包括以下步骤:支撑该物件;利用一涂覆导电材料之导电管提供一电动势至该物件之周围边缘;及施加一电动势至该腔中之液态导体,因而提供该电动势至该物件表面。48.如申请专利范围第47项之方法,其中该提供电动势至该管的步骤包括施加电动势至一结合至该管的线路。49.如申请专利范围第47项之方法,其中该物件之周围边缘包括该物件之整个周围边缘。50.如申请专利范围第47项之方法,其中该物件之周围边缘包括该物件之预定区域。51.如申请专利范围第47项之方法,其中该导电材料包括一金属与一聚合物中之其一。52.如申请专利范围第47项之方法,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。53.一种利用一蚀刻溶液自一半导体物件周围边缘移除金属层之装置,其包括有:一物件支撑;一腔可在一蚀刻溶剂自该半导体物件周围边缘移除该金属层时承装该蚀刻溶剂;一管可防止该蚀刻溶剂触及该物件之背面;及一密封可用以防止该蚀刻溶剂触及该物件之背面。54.如申请专利范围第53项之装置,其中该蚀刻溶液可自该晶圆的整个周围边缘移除该金属层。55.如申请专利范围第53项之装置,其中该蚀刻溶液可自该晶圆周围边缘的预定区域移除该金属层。56.如申请专利范围第53项之装置,其中该管的截面及该密封的截面形成该腔之一部份。57.如申请专利范围第53项之装置,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。58.一种自一半导体物件周围边缘移除一金属层之方法,包括以下之步骤:支撑该物件以使该物件表面曝露于一蚀刻液中;充胀该管,其中该充胀后之管可防止该蚀刻液触及该物件之背面;及注入该蚀刻液至一腔,其中该蚀刻液自该物件之周围边缘移除该金属层。59.如申请专利范围第58项之方法,其中该管由一弹性体或一加强弹性体中之其一制成。60.如申请专利范围第58项之方法,其中该物件之周围边缘包括该物件之整个周围边缘。61.如申请专利范围第58项之方法,其中该物件之周围边缘包括该物件之预定区域。62.如申请专利范围第58项之方法,其中该物件包括选自一晶圆、平面显示器及一磁带。63.一种半导体物件电镀装置,用以电镀一半导体物件之正面,包括:一物件支撑;一阳极;一充胀管;及一导电物结合至该充胀管,其中该导电物可与该物件形成电流接触并在施加电力时提供一电动势至该物件。64.如申请专利范围第63项之装置,其中该导电物包括选自一板、一结或一电线。65.一种电镀半导体物件表面的方法,该方法包括以下步骤:支撑该物件以使该物件表面曝露于一电镀液中,该电镀液在一阳极与该物件间流动;利用一结合至一可充胀管上的导电物件提供一电动势至该物件之周围边缘;利用该电镀液电镀该物件之该表面。66.如申请专利范围第65项之方法,其中该导电物包括选自一板、一结或一电线。67.一种提供电动势至半导体物件表面的方法,该方法包括以下步骤:支撑该物件;充胀一具有导电物之管,其中该导电物与该物件之表面形成电流接触;及施加一电动势至该导电物,因而提供该电动势至该物件表面。68.如申请专利范围第67项之方法,其中该导电物包括选自一板、一结或一电线。图式简单说明:第一图A说明传统接触指在电镀时结合至晶圆之结构;第一图B说明传统电镀装置的截面图;第二图说明使用根据本发明之较佳实施例的液态导体的电镀装置截面图;第三图说明根据本发明之较佳实施例的液体腔截面放大图;第四图A-第四图B说明使用根据本发明之较佳实施例的液态导体的电镀装置俯视图;第五图说明使用根据本发明之另一较佳实施例的涂覆可充胀管的电镀装置截面图;第六图A-第六图B说明使用根据本发明之另一较佳实施例的涂覆可充胀管的电镀装置俯视图;及第七图A-第七图B根据本发明之较佳实施例的具有导电体可充胀管截面图。 |
