| 主权项 |
1.一种具有电压容许度之定锁器,作为接收来自操作于第一操作电压位准电路或操作于第二操作电压位准电路之输入信号,该具有电压容许度之定锁器包含:一第一定锁器,具有一输入及一输出;一第一缓冲器暂存器,在输入之前连接至第一定锁器;一拉升电路,反应于一控制信号,以选择性地调整第一定锁器输入之电压位准,该拉升电路连接至该第一定锁器之输入及输出;及一节点电压控制器,具有多数输入及一输出,用以控制拉升电路之操作并保护第一定锁器不受第一及第二操作电压,该节点电压控制器连接至拉升电路,以提供该控制信号,该节点电压控制器具有一输入连接至第一定锁器之输出及一输入连接至第一定锁器之输入。2.如申请专利范围第1项所述之具有电压容许度之定锁器,其中该第一缓冲器电晶体系为n型MOSFET。3.一种具有电压容许度之定锁器,作为接收来自操作于第一操作电压位准电路或操作于第二操作电压位准电路之输入信号,该具有电压容许度之定锁器包含:一第一定锁器,具有一输入及一输出;一拉升电路,反应于一控制信号,以选择性地调整第一定锁器输入之电压位准,该拉升电路连接至第一定锁器之输入及输出;一节点电压控制器,具有多数输入及一输出,用以控制拉升电路之操作并保护第一定锁器不受第一及第二操作电压,该节点电压控制器连接至拉升电路,以提供该控制信号,该节点电压控制器具有一输入连接至第一定锁器之输出及一输入连接至第一定锁器之输入;一感应电晶体连接介于该电压容忍度定锁器之输入以及该节点电压控制器之间。4.如申请专利范围第3项所述之具有电压容许度之定锁器,其中该感应电晶体是一p型MOSFET。5.一种具有电压容许度之定锁器,作为接收来自操作于第一操作电压位准电路或操作于第二操作电压位准电路之输入信号,该具有电压容许度之定锁器包含:一反相器,具有一输入及一输出;一第一电晶体令其闸极连接至反相器输出,并连接于一供给电压及反相器之输入之间;及第二电晶体令其闸极连接至反相器之输出并连接于地端及反相器之输入间,一拉升电路,反应于一控制信号,以选择性地调整第一定锁器输入之电压位准,该拉升电路连接至第一定锁器之输入及输出,及一节点电压控制器,具有多数输入及一输出,用以控制拉升电路之操作并保护第一定锁器不受第一及第二操作电压,该节点电压控制器连接至拉升电路,以提供该控制信号,该节点电压控制器具有一输入连接至第一定锁器之输出及一输入连接至第一定锁器之输入。6.如申请专利范围第5项所述之具有电压容许度之定锁器,其中第一电晶体是p型MOSFET及第二电晶体是n型MOSFET。7.一种具有电压容许度之定锁器,作为接收来自操作于第一操作电压位准电路或操作于第二操作电压位准电路之输入信号,该具有电压容许度之定锁器包含:一第一定锁器,具有一输入及一输出;一拉升电路,反应于一控制信号,以选择性地调整第一定锁器输入之电压位准,该拉升电路连接至第一定锁器之输入及输出;该拉升电路包含:一第一电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第一电晶体之源极系连接至一供给电压,第一电晶体之闸极系连接至第一定锁器之输出;及一第二电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第二电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,第二电晶体之闸极系连接至节点电压控制器,及第二电晶体之汲极系连接至第一定锁器之输入,一节点电压控制器,具有多数输入及一输出,用以控制拉升电路之操作并保护第一定锁器不受第一及第二操作电压,该节点电压控制器连接至拉升电路,以提供该控制信号,该节点电压控制器具有一输入连接至第一定锁器之输出及一输入连接至第一定锁器之输入。8.如申请专利范围第7项所述之具有电压容许度之定锁器,其中该第一及第二电晶体是p型MOSFET。9.如申请专利范围第7项所述之具有电压容许度之定锁器,其中第一电晶体令其井连接至第二操作电压之高电压位准。10.如申请专利范围第7项所述之具有电压容许度之定锁器,其中第二电晶体令其井连接至第二操作电压之高电压位准。11.一种具有电压容许度之定锁器,作为接收来自操作于第一操作电压位准电路或操作于第二操作电压位准电路之输入信号,该具有电压容许度之定锁器包含:一第一定锁器,具有一输入及一输出;一拉升电路,反应于一控制信号,以选择性地调整第一定锁器输入之电压位准,该拉升电路连接至第一定锁器之输入及输出;一节点电压控制器,具有多数输入及一输出,用以控制拉升电路之操作并保护第一定锁器不受第一及第二操作电压,该节点电压控制器连接至拉升电路,以提供该控制信号,该节点电压控制器具有一输入连接至第一定锁器之输出及一输入连接至第一定锁器之输入且该节点电压控制器更包含:一第一电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第一电晶体之源极系连接至一供给电压,第一电晶体之闸极系连接至第一定锁器之输出;一电流源连接至地端及第一电晶体之汲极;及一第二电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第二电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,第二电晶体之闸极系连接至第一定锁器之输出,及第二电晶体之汲极系连接至地端。12.如申请专利范围第11项所述之具有电压容许度之定锁器,其中该第一电晶体是p型MOSFET及第二电晶体是n型MOSFET。13.如申请专利范围第12项所述之具有电压容许度之定锁器,其中该节点电压控制器更包含一第三电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第三电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,第三电晶体之闸极系连接供给电压,及第三电晶体之汲极系连接至第二电晶体之源极。14.如申请专利范围第11项所述之具有电压容许度之定锁器,其中该节点电压控制器更包含:一第三电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第三电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,第三电晶体之闸极系连接至供给电压;一第四电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,该第四电晶体之源极及闸极系连接至第三电晶体之汲极,及第二电晶体之汲极系连接至第二电晶体之源极。15.一种用以反应于第一与第二控制信号,而选择性调整一输入之电压位准之电路,包含:一第一电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第一电晶体之源极系连接至一供给电压,第一电晶体之闸极系经连接以接收第二控制信号;及一第二电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第二电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,第二电晶体之闸极系经连接以接收第一控制信号,且第二电晶体之汲极系连接至输入。16.如申请专利范围第15项所述之电路,其中该第一及第二电晶体是p型MOSFET。17.如申请专利范围第15项所述之电路,更包含一节点电压控制器,具有多数输入及一输出,用以控制电路之操作,该节点电压控制器连接至该电路以提供第一控制信号。18.如申请专利范围第17项所述之电路,其中该节点电压控制器更包含:一第三电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第三电晶体之源极系连接至一供给电压,第三电晶体之闸极系连接至第一电晶体之闸极;一电流源连接至地端及第三电晶体之汲极;及一第四电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第四电晶体之源极系连接至第三电晶体之汲极,第四电晶体之闸极系连接第一电晶体之闸极,及第四电晶体之汲极系连接至地端。19.如申请专利范围第18项所述之电路,其中该第三电晶体是p型MOSFET及第四电晶体是n型MOSFET。20.如申请专利范围第18项所述之电路,其中该节点电压控制器更包含一第五电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第五电晶体之源极系连接至第三电晶体之汲极,第五电晶体之闸极系连接供给电压,及第五电晶体之汲极系连接至第二电晶体之闸极。21.一种用以反应于一第二节点,而选择性调整一第一输入之电压位准之电路,该电路包含:一第一电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第一电晶体之源极系连接至一供给电压,第一电晶体之闸极系连接至第二节点;一第二电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第二电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,且第二电晶体之汲极系连接至该第一输入;一第三电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第三电晶体之源极系连接至供给电压,第三电晶体之闸极系连接至第二节点,且第三电晶体之汲极系连接至第二电晶体之闸极;一第四电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第四电晶体之源极系连接至地端,第四电晶体之汲极系连接至第二电晶体之闸极,及第四电晶体之闸极系连接至第二节点。22.如申请专利范围第21项所述之电路,更包含一第五电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第五电晶体之闸极系连接至供给电压,第五电晶体之源极系连接第一输入,及第五电晶体之汲极系连接至第二电晶体之闸极。23.如申请专利范围第22项所述之电路,其中该第一电晶体及第五电晶体令其井连接至第二操作电压之高电压位准。24.如申请专利范围第23项所述之电路,更包含一电流源连接于接地端及连接至第二电晶体之闸极。25.如申请专利范围第21项所述之电路,更包含一缓冲器电晶体连接于第二电晶体之闸极及第四电晶体之汲极之间。26.如申请专利范围第21项所述之电路,更包含一对缓冲器电晶体串联连接于第三电晶体之汲极及第二电晶体之闸极。27.如申请专利范围第21项所述之电路,其中该第一、第二及第三电晶体是p型MOSFET及第四电晶体是一n型MOSFET。28.一种用以拉升一节点至一高电压位准之电路,包含:一第一电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第一电晶体之源极系连接至一供给电压,第一电晶体之闸极系连接至零伏特;及一第二电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第二电晶体之源极系连接至第一电晶体之汲极,且第二电晶体之汲极系连接至该节点;及一第三电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,该第三电晶体之源极系连接至第二电晶体之闸极,该第三电晶体之闸极系连接至一供给电压,及第三电晶体之汲极系连接至该节点。29.如申请专利范围第28项所述之电路,其中该第一,第二及第三电晶体是p型MOSFET。30.如申请专利范围第28项所述之电路,其中该电路更包含一电流源连接至地端及连接至该第二电晶体之闸极。31.如申请专利范围第28项所述之电路,其中该电路更包含:一第四电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第四电晶体之源极系连接至一供给电压,第四电晶体之闸极系连接至零伏特;及一第五电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,第五电晶体之源极系连接至第四电晶体之汲极,及第五电晶体之闸极系连接至该供给电压;及一第六电晶体具有一闸极,一源极及一汲极,该第六电晶体之源极系连接至第六电晶体之闸极及连接至第五电晶体之汲极,且该第六电晶体之汲极系连接至第二电晶体之闸极。32.如申请专利范围第28项所述之电路,其中该第一,第二及第三电晶体均令其井连接至一第二操作电压之高电压位准。图式简单说明:第一图为先前技艺滙流排保持定锁器之方块图;第二图为本发明之具电压容许度滙流排保持定锁器之电路图,其示出被连接于具第一操作电压之第一电路及具有第二操作电压之第二电路之间,该第一操作电压系高于第二操作电压;第三图为依据本发明建造之具电压容许度定锁器之较佳实施例之方块图;第四图为依据本发明建造之电压定锁器之较佳实施例之详细方块图;及第五图为依据本发明建造之拉升电路之较佳实施例之详细方块图。 |
