| 主权项 |
1.一种半导体装置,具备有:第1半导体晶片,具有外部电极和内部电极;和第2半导体晶片,具有内部电极;在上述之第1半导体晶片,具有间隙的积层上述之第2半导体晶片,和使内部电极互相电连接;其特征是:在上述之第2半导体晶片之内部电极内设置穿通孔,在该穿通孔内壁以与其他电极绝缘之状态形成可无电解电镀之电极,和以使上述之第1和第2半导体晶片之内部电极之间成为对应之方式,利用接着剂将上述之第2半导体晶片固定在上述第1半导体晶片之外部电极和内部电极以外之部份,上述之第2半导体晶片之内部电极和穿通孔内壁之上述电极与上述之第1半导体晶片之内部电极,经由相同成分之连续金属产生电连接。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中将第2半导体晶片之内部电极内之穿通孔之直径设定成为小于第1半导体晶片和第2半导体晶片之间隙之1/2。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中将与第第2半导体晶片同样构造之第3半导体晶片同样的积层在上述之第2半导体晶片。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中将与第2半导体晶片同样构造之多个半导体晶片同样的积层在上述之第2半导体晶片。5.一种半导体装置之制造方法,其特征是所包含之工程有:在积层于第1半导体晶片之第2半导体晶片之内部电极内设置穿通孔;在上述之穿通孔内壁和背面形成绝缘膜;利用无电解电镀或蒸着在上述之穿通孔内壁形成可无电解电镀之电极;以使上述之第1和第2半导体晶片之内部电极之间成为对应之方式,在对上述之第1半导体晶片具有间隙之状态,将上述之第2半导体晶片接着固定在上述第1半导体晶片之外部电极和内部电极以外之部份;和利用无电解电镀使上述之第2半导体晶片之内部电极和穿通孔内壁之上述电极与上述之第1半导体晶片之内部电极产生电连接。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中将第2半导体晶片之内部电极内之穿通孔之直径设定成为小于第1半导体晶片和第2半导体晶片之间隙之1/2。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中将与第2半导体晶片同样构造之第3半导体晶片同样的积层在上述之第2半导体晶片。8.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中将与第2半导体晶片同样构造之多个半导体晶片同样的积层在上述之第2半导体晶片。图式简单说明:第一图是本发明之实施形态之半导体装置之剖面图。第二图是第一图之主要部份扩大图。第三图A是本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之工程剖面图,第三图B为其主要部份扩大图。第四图A是第三图A之下一个工程之工程剖面图,第四图B为其主要部份扩大图。第五图A是第四图A之下一个工程之工程剖面图,第五图B为其主要部份扩大图。第六图A是第五图A之下一个工程之工程剖面图,第六图B为其主要部份扩大图。第七图A是第六图A之下一个工程之工程剖面图,第七图B为其主要部份扩大图。第八图A是第七图A之下一个工程之工程剖面图,第八图B为其主要部份扩大图。第九图A是第八图A之下一个工程之工程剖面图,第九图B为其主要部份扩大图。第十图是第九图A之下一个工程之工程剖面图。第十一图是第十图之下一个工程之工程剖面图。第十二图是第十一图之下一个工程之工程剖面图。第十三图是第十二图之下一个工程之工程剖面图。第十四图A是第十三图之下一个工程之工程剖面图,第十四图B为其主要部份扩大图。第十五图是第十四图A之下一个工程之工程剖面图。第十六图是习知之半导体装置之剖面图。第十七图A、第十七图B、第十七图C和第十七图D分别为习知之半导体装置之工程剖面图。 |
