| 主权项 |
1.一种在基板上制造浅渠沟隔离的方法,至少包括:形成一二氧化矽硬罩幕在该基板之上;利用一晶轴方向性相关蚀刻制程,蚀刻该基板,在该基板之中形成复数个凹槽;进行离子布植制程,植入离子至该凹槽的每一侧壁;蚀刻该等凹槽以形成复数个该等浅渠沟于该基板中;将二氧化矽绝缘材料填入该等浅渠沟中并覆盖在该硬罩幕之上;及以一化学机械研磨法将该二氧化矽绝缘材料平坦化。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶轴方向性相关蚀刻制程,为湿式蚀刻制程,使用KOH溶液作为蚀刻溶液。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻该基板以形成该渠沟,是利用乾蚀刻制程。4.如申请专利范围第1项所述之方法,在形成该复数个渠沟之后,更包含在该渠沟的表面形成一热氧化矽衬垫的制程步骤。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氧化矽绝缘材料系以化学气相沈积制程形成。图式简单说明:第一图显示一基板的剖面示意图,具有一垫氧化层与一氮化矽层在基板表面,以定义一渠沟图案;第二图显示一基板具有渠沟的剖面示意图;第三图显示一基板的剖面示意图,在基板之渠沟的侧壁与底部覆盖一薄层;第四图显示形成化学气相沉积氧化层,填入渠沟之中,并覆盖在基板的表面;第五图显示基板的剖面示意图,具有一平坦化的浅渠沟隔离;第六图系显示一基板的剖面示意图,在氧化层与氮化矽层图案之间,具有一个较薄的接角;第七图系显示本发明之中一基板的剖面示意图,使用一氧化矽层作为一硬罩幕;第八图显示本发明之中的一基板的剖面示意图,藉由晶轴方向性相关蚀刻制程,形成V形与U形凹槽;第九图系显示本发明之中一基板的剖面示意图,具有浅渠沟,形成基板的浅渠沟隔离;第十图系显示本发明之中的渠沟,一薄热氧化衬垫与一绝缘层形成在渠沟之中;第十一图系显示在<100>晶轴方向的基板之上,利用晶轴方向性相关蚀刻制程,形成V形与U形渠沟;以及第十二图系显示在<110>晶轴方向基板之上,利用晶轴方向性相关蚀刻制程,形成浅渠沟。 |
