| 发明名称 | 处理被处理基板之半导体处理方法及装置 | ||
| 摘要 | 于半导体处理装置(1)处理被处理基板(10)的方法，系在处理容器(2)内一边将第1基板(10)控制温度于处理温度而一边将处理气体供给至前述处理容器内而对前述第1基板进行半导体处理。于前述半导体处理在前述处理容器(2)之内面上形成副产物膜。前述半导体处理后，且从前述处理容器(2)取出前述第1基板(10)之后，将改质气体供给至前述处理容器内而对前述副产物膜进行改质处理。前述改质气体系设定用以降低前述副产物膜之热反射性。前述改质处理后，于前述处理容器(2)内一边将第2基板(10)控制温度于前述处理温度而一边将前述气体供给至前述处理容器内，而对前述第2基板进行前述半导体处理。 | ||
| 申请公布号 | TWI317970 | 申请公布日期 | 2009.12.01 |
| 申请号 | TW093102652 | 申请日期 | 2004.02.05 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 古屋治彦;两角友一朗;池川宽晃;平山诚;伊藤勇一 |
| 分类号 | H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 代理人 | 恽轶群;陈文郎 | |
| 主权项 | 一种处理被处理基板之方法，系于半导体处理装置处理被处理基板的方法，包含：在处理容器内将第1基板予以温度控制于处理温度，同时对前述处理容器内供给处理气体，而对前述第1基板进行半导体处理的步骤；而于前述半导体处理中，在前述处理容器之内面上形成以金属氮化物为主成分之副产物膜，在前述半导体处理后且从前述处理容器取出前述第1基板之后，对前述处理容器内供给改质气体，而对前述副产物膜进行改质处理的步骤；且前述改质处理设定为，以远高于前述处理温度之改质温度，藉前述改质气体氧化前述副产物膜而降低前述副产物膜之热反射性的处理，及前述改质处理后，在前述处理容器内将第2基板予以温度控制于前述处理温度，同时对前述处理容器内供给前述处理气体，而对前述第2基板进行前述半导体处理的步骤。 | ||
| 地址 | 日本 | ||