在浮动与控制闸极之间具有增加耦合之快闪记忆体阵列及其制造方法

摘要

揭示浮动闸极结构，其具有与基底耦合的基部场以及从基部延伸离开基底的窄凸部。在一形式中，相当大的凸部之表面提供增加的表面积给围绕它的控制闸极，藉以增加二者之间的耦合。在另一形式中，抹拭闸极围绕相当小的凸部，以便利用凸部的尖锐边缘来促进电子从浮动至抹拭闸极的穿隧。在每一情形中，浮动闸极的控制位于一方向上浮动闸极的区域之内，因而不需要增加的基底面积用于这些记忆胞。

主权项

一种非挥发性记忆胞阵列，具有形成于半导体基底表面上的导电浮动闸极，以闸极介电层夹于其间，以及包含控制闸极，该控制闸极位于从基底表面移除的浮动闸极之相邻表面上，并以闸极间介电层夹于其间，该浮动闸极个别地包括基部，以一侧经由该闸极介电层耦合至基底以及具有从该基部的相对侧延伸的凸部，该凸部在第一方向上比该基部在该第一方向上的尺寸还薄，以及，其中，相邻于该控制闸极的浮动闸极之表面包含该第一方向上之凸部的相对立侧表面以及该基部的顶部表面，以该闸极间介电层介于其间，其中，该凸部在第二方向上个别地具有的尺寸等于该第二方向上它们对应的基部之尺寸，该第二方向系跨越基底表面与该第一方向成正交。