制造半导体装置的方法

摘要

本发明之一目的系在于提供一种制造能够形成一高性能MOS电晶体的半导体装置之方法，该方法所包含之步骤为：经由一闸极绝缘薄膜，在半导体基板上形成一闸极(步骤S1)；使用该闸极做为一遮罩，将一杂质引入该半导体基板中(步骤S7)；将一扩散控制基质引入半导体基板中，以控制杂质之扩散(步骤S8)；在该闸极之各个侧表面上形成一侧壁绝缘薄膜(步骤S9)；使用该闸极以及侧壁绝缘薄膜作为遮罩，将杂质深引入半导体基板中(步骤S10)；藉着使用一快速热退火法之退火处理，使该杂质活化(步骤S11)；以及藉由毫秒退火处理进一步活化该杂质(步骤S12)。

主权项

一种制造半导体装置之方法，该方法包含之步骤有：经由一闸极绝缘薄膜，在一半导体基板上形成一闸极；使用该闸极作为遮罩，将一第一杂质引入该半导体基板中；将一扩散控制基质引入该半导体基板中，用以控制该第一杂质之扩散；在将该第一杂质以及该扩散控制基质引入该半导体基板之后，在该闸极之各个侧表面上形成一侧壁绝缘薄膜；使用该闸极以及该侧壁绝缘薄膜作为遮罩，将传导性类型与该第一杂质相同之一第二杂质引入较该第一杂质与该扩散控制基质之引入部分更深的半导体基板中；在将该第二杂质引入该半导体基板之后，藉由一第一退火处理活化该第一杂质与该第二杂质；以及在第一退火处理启动之后，藉由退火时间不超过100毫秒之一第二退火处理进一步活化该第一杂质及/或该第二杂质。