利用矽对矽直接晶圆接合之具有不同晶向之混成基板上的互补式金氧半导体

摘要

本发明提供一种采用半导体对半导体直接晶圆接合，以提供具有不同晶体方向半导体层之一混成基板的方法，该等半导体层系藉由一导电或绝缘介面而隔开。本发明亦提供以此方法所制造的混成基板，以及利用直接接合方法来提供一整合的半导体结构，此半导体结构中有各种CMOS元件系建立在可提高元件效能之一表面方向上。

主权项

一种混成基板，包含：一第一半导体层，具有一第一晶体方向(crystallographic orientation)；以及一第二半导体层，具有与该第一晶体方向不同之一第二晶体方向，其中该第一与第二半导体层系藉由一导电介面而彼此隔开，该导电介面具有接触该第二半导体层的一上表面及接触该第一半导体层的一下表面，该导电介面包含该等半导体层之至少其中之一的一亲水表面或一疏水表面。