| 主权项 |
1.一种高温热流微影制程,其包括:提供一高温热流光阻;于该高温热流光阻中加入一交联试剂,以形成一高温热流交联光阻;提供一基底,该基底上形成有一绝缘层;于该绝缘层上,形成一高温热流交联光阻层;进行一曝光制程;进行一显影制程;以及进行一热流制程。2.如申请专利范围第1项所述之高温热流微影制程,其中该交联试剂包括具有羟基苯甲酸结构之一聚合物。3.如申请专利范围第1项所述之高温热流微影制程,其中该热流制程之温度约为摄氏150度至160度之间。4.如申请专利范围第1项所述之高温热流微影制程,其中该高温热流交联光阻中所含之该交联试剂约为2%至5%之间。5.一种提高高温热流微影制程之制程裕度的方法,其包括:提供一基底,该基底上形成有一绝缘层;于该绝缘层上,形成一光阻层,其中该光阻层中含有具复数个交联官能基之一聚合物;进行一软烤制程;进行一曝光制程;进行一硬烤制程;进行一显影制程;以及进行一高温制程,以使该光阻产生热流以及使该聚合物产生交联作用。6.如申请专利范围第5项所述之提高高温热流微影制程之制程裕度的方法,其中该些交联官能基包括羧基。7.如申请专利范围第5项所述之提高高温热流微影制程之制程裕度的方法,其中该聚合物包括具有羟基苯甲酸结构之一聚合物。8.如申请专利范围第5项所述之提高高温热流微影制程之制程裕度的方法,其中该高温制程之温度约为摄氏150度至160度之间。9.如申请专利范围第5项所述之提高高温热流微影制程之制程裕度的方法,其中该高温热流交联光阻中所含之该交联试剂约为2%至5%之间。图式简单说明:第1A图至第1C图所示,为根据本发明一较佳实施例之一种热流微影制程之流程剖面图;以及第2图所绘示为热流光阻以及具有交联聚合物之热流光阻之曝光图案关键尺寸与加热板温度之关系图。 |
