| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之制造一半导体装置之方法,其中该非晶形矽晶薄层于该第一绝缘薄层上形成如一圆柱状。3.如申请专利范围第1项之制造一半导体装置之方法,其中该低掺杂浓度系低于21020cm-3。4.如申请专利范围第1项或第3项之制造一半导体装置之方法,其中该高浓掺杂区域具有一高于21020cm-3之掺杂浓度。5.如申请专利范围第1项之制造一半导体装置之方法,其中该掺杂物为磷或砷。6.如申请专利范围第2项之制造一半导体装置之方法,其中当该掺杂物被植入形成如圆柱状之该非晶形矽晶薄层之最上层表面时,该非晶形矽晶薄层之外部周围表面被覆盖以一第二绝缘薄层以及该非晶形矽晶薄层之内部周围表面亦覆盖以一保护层。7.如申请专利范围第6项之制造一半导体装置之方法,其中该第二中间绝缘薄层被形成为一氧化薄层,以及于该掺杂物被植入该非晶形矽晶薄层之后选择性地被移除。8.如申请专利范围第6项之制造一半导体装置之方法,其中该保护薄层系为抗光蚀薄层。9.如申请专利范围第1项之制造一半导体装置之方法,其中该矽化合物气体系为一矽烷气体。10.一种半导体装置,其包含有:一贮存电极,其具有一形成于一半导体基材上之矽晶薄层以及一形成于该矽晶薄层之一表面上之一半球形细粒矽晶薄层,藉此,该半球形细粒矽晶薄层之最上层表面之密度小于该矽晶薄层之侧表面;一用于覆盖该半球形细粒矽晶薄层以及该矽晶薄层之介电薄层;以及形成于该介电薄层上之一相对电极。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中于该矽晶薄层之最上层部分之掺杂浓度系高于其它区域。12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该矽晶薄层具一圆柱状。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中该矽晶薄层之侧表面包含该圆柱状之一内面与一外部周围面。图式简单说明:第1A和1B图各别显示习知之贮存电极之上视图;第2A至2J图显示根据本发明之第一个具体例,用于形成一存储元件之步骤的断面图;第3图显示用于本发明之具体例的制程仪器之结构平面图;第4A图显示根据本发明之第一个具体例之一贮存电极的上视图;第4B图显示于第4A图中所示之贮存电极的透视图;第5A至5F图显示根据本发明之第二具体例,用于形成一存储元件之步骤的断面图。第6图显示根据本发明之第二个具体例,用于形成存储元件之步骤的变化之断面图。 |
