| 主权项 |
1.一种制造一半导体发光装置的方法,该半导体发光装置包括一半导体尖端,具有一第一电极层和一第二电极层于一基面的相同侧,而该制造方法包括的步骤为:将该半导体尖端的该第一和第二电极层,利用一第一接合物层和一第二接合物层,分别堆叠至一事先决定的支撑体;而其中在该半导体尖端上的该第一电极层之一表面,是突出超过该第二电极层之一表面;以及在此堆叠的步骤中,该第二接合物层的变形量被决定为比第一接合物层的变形量较大。2.一种制造一半导体发光装置的方法,该半导体发光装置包括一半导体尖端,具有一第一电极层和一第二电极层于一基面的相同侧,和一座板,具有一第一接合物层和一第二接合物层于一支撑体的相同侧,该制造方法包括的步骤为:将该半导体尖端的该第一和第二电极层,分别堆叠至该第一接合物层和该第二接合物层;而其中一层次差距是以该半导体尖端上,其间该第一电极层的一表面突出超过该第二电极层的一表面所提供的;一层次差距是以该座板上,其间该第一接合物层之一表面突出超过该第二接合物层之一表面所提供的;该座板上,其间该第一和第二接合物层的该层次差距被决定为比该半导体尖端其间该第一和第二电极层的层次差距较高。3.如申请专利范围第2项之制造该半导体发光装置的方法,其中该半导体尖端上的该层次差距以A表示,而该座板上的该层次差距以B表示,其中形成的关系式1.2≦B/A≦3。4.如申请专利范围第2项之制造该半导体发光装置的方法,其中该半导体尖端上的该层次差距以A表示,而该座板上的该层次差距以B表示,其中形成的关系式1.3≦B/A≦2.5。5.如申请专利范围第2项之制造该半导体发光装置的方法,其中该支撑体有一平整的表面,而且该第一接合物层和该第二接合物层形成于其上,以及该第一和第二接合物层的厚度决定为彼此不同。6.如申请专利范围第2项之制造该半导体发光装置的方法,其中一第一电极层和一第二电极层,分别地形成于该第一接合物层和该支撑体之间,以及该第二接合物层和该支撑体之间。7.如申请专利范围第2项之制造该半导体发光装置的方法,其中该沟渠形成于该支撑体上的该第一接合物层附近。8.如申请专利范围第2项之制造该半导体发光装置的方法,其中该半导体尖端包括一具有一光学共振器的雷射尖端,以及介于第一电极层和第一接合物层之间的第一接合物层之一轮廓,是位在从第一电极层的一轮廓向内,至少是在相关于该光学共振器之一共振方向的一垂直方向。9.一种用于堆叠至一半导体尖端的座板,该半导体尖端有一第一电极层和一第二电极层,形成于一基面的相同侧,也有一层次差距,为一第一电极层之一表面突出超过一第二电极层其间之一表面,该座板包括:一第一接合物层和一第二接合物层形成于一支撑体之相同侧;和其中一层次差距是以该第一接合物层之一表面突出超过该第二接合物层其间之一表面所提供;以及介于该第一接合物层和该第二接合物层之间的该层次差距,是比该半导体尖端上该层次差距较高一些。10.如申请专利范围第9项之座板,其中该事先决定之该半导体尖端的层次差距以A表示,该基面的该层次差距以B表示,其中形成的关系式1.2≦B/A≦3。11.如申请专利范围第9项之座板,其中形成的关系式1.3≦B/A≦2.5。12.如申请专利范围第9项之座板,其中该支撑体有一平整的表面,该第一接合物层和该第二接合物层都形成于其上;以及该第一和第二接合物层的厚度决定为彼此不相同。13.一种半导体发光装置,包括一半导体尖端,具有一第一电极层和一第二电极层于一基面的相同侧,以及一座板,具有一第一接合物层和一第二接合物层于一支撑体的相同侧,其中一层次差距,是以该半导体尖端上该第一电极层之一表面突出超过该第二电极层其间之一表面的方式提供;一层次差距,是以该座板上该第一接合物层之一表面突出超过该第二接合物层其间之一表面的方式提供;以及一沟渠形成于该支撑体上该第二接合物层的相反侧,并以三明治的方式夹着该第一接合物层。14.如申请专利范围第13项之半导体发光装置,其中一第一铅质电极层和一第二铅质电极层,分别形成于该第一接合物层和该支撑体之间,以及该第二接合物层和支撑体之间。15.如申请专利范围第14项之半导体发光装置,其中该第一铅质电极层延伸至该沟渠内。16.一种座板,具有一第一接合物层和一第二接合物层于一支撑体的相同侧,其中一层次差距,是以该第一接合物层之一表面突出超过该第二接合物层其间之一表面的方式提供;一沟渠形成于该支撑体上该第二接合物层的相反侧,成为三明治式夹着该第一接合物层。17.一种制造一半导体发光装置的方法,该半导体发光装置包括一半导体尖端,具有一第一电极层和一第二电极层于一基面的相同侧,以及一座板,具有一第一接合物层和一第二接合物层于一支撑体的相同侧,该制造方法包括:将该半导体尖端的该第一电极层和该第二电极层,分别堆叠至该座板的该第一接合物层和该第二接合物层,其中一层次差距,是以该半导体尖端上该第一电极层之一表面突出超过该第二电极层其间之一表面的方式提供;一层次差距,是以该座板上该第一接合物层之一表面突出超过该第二接合物层其间之一表面约方式提供;以及该第一接合物层的一轮廓接触到介于该第一电极层和该第一接合物层之间的表面,是位于从该第一电极层接触到介于该第一电极层和第一接合物层之间的表面,至少在一特定方向上向内。18.如申请专利范围第17项之制造该半导体发光装置的方法,其中该半导体尖端包括一雷射尖端,具有一光学共振器,以及该第一接合物层的该轮廓接触到介于该第一电极层和该第一接合物层之间的表面,且位于从该第一电极层的一轮廓向内,至少在相关于该光学共振器之一共振方向的一垂直方向。图式简单说明:图1为显示一半导体应用在根据本发明第一具体实施例的一半导体雷射装置之一透视图;图2为显示图1中半导体之一雷射尖端的结构之一纵向截面图;图3为显示图1中半导体之一座板的结构之一纵向截面图;图4A和4B为解释制造图1中所示半导体雷射装置的方法中每一个步骤之纵向截面图;图5为解释第一具体实施例的效果之一原因和结果图;图6为解释相关于根据本发明第二具体实施例的半导体雷射装置主要部份之纵向截面图;图7为解释相关于根据本发明第三具体实施例的半导体雷射装置主要部份之纵向截面图;图8为图7中VIII-VIII虚线所指之截面图;以及图9为图8中IX-IX虚线所指之纵向截面图。 |
