碳化矽膜于半导体元件中之沉积方法

摘要

一种制作低氧含量之碳化矽薄膜的方法在此揭露，本方法系执行于分次而连续之同室成形(in-situ)步骤。每一段成形步骤均包含碳化矽之电浆强化化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)以及移除沉积膜内氧杂质的氨气电浆处理。本发明所提出的方法不仅可以有效地改善碳化矽薄膜的某些绝缘特性，而且能够轻易地套用于生产阶段的积体电路制程。

主权项

1.一种形成碳化矽薄膜之方法,至少包括:提供一半导体基底;以及利用以有机矽化物为沉积气体之电浆强化化学气相沉积法(PECVD)沉积至少两连续碳化矽层于该半导体基底上,每一该碳化矽层以同室之氨气电浆进行电浆处理以移除该碳化矽层之内含氧杂质。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述至少两连续碳化矽层之每一层的厚度约介于50至200埃。3.如申请专利范围第2项之方法,其中所述之氨气电浆处理包含如下条件:氨气流量约介于2500至5000sccm、氮气流量约在1000至3000sccm之间、射频(RF)电力密度约为0.5至1.5W/cm2.压力控制在3至5托耳。4.如申请专利范围第3项之方法,其中所述之氨气电浆处理为时约在5至20秒间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之有机矽化物系为下列之一:一甲基矽烷、二甲基矽烷、三甲基矽烷、及四甲基矽烷。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之氨气电浆处理执行于约400℃之温度。7.如申请专利范围第1项之方法,其中所述至少两连续碳化矽层系作为一绝缘质或一硬幕遮。8.一种形成一电子元件之方法,至少包括:形成一铜质体于一半导体基底内;利用以有机矽化物为沉积气体之电浆强化化学气相沉积法(PECVD)沉积至少两连续碳化矽层于该半导体基底上;以及每一该碳化矽层以同室之氨气电浆进行电浆处理以移除该碳化矽层之内含氧杂质,而形成一以复合层成形之碳化矽薄膜,其具有阻障铜扩散的能力。9.如申请专利范围第8项之方法,其中所述至少两连续碳化矽层之每一层的厚度的介于50至200埃。10.如申请专利范围第9项之方法,其中所述之氨气电浆处理包含如下条件:氨气流量约介于2500至5000sccm、氮气流量约在1000至3000sccm之间、射频(RF)电力密度约为0.5至1.5W/cm2.压力控制在3至5托耳。11.如申请专利范围第10项之方法,其中所述之氨气电浆处理为时约在5至20秒间。12.如申请专利范围第8项之方法,其中所述之有机矽化物系为下列之一:一甲基矽烷、二甲基矽烷、三甲基矽烷、及四甲基矽烷。13.如申请专利范围第8项之方法,其中所述之氨气电浆处理执行于约400℃之温度。14.一种形成碳化矽薄膜之方法,至少包括:提供一半导体基底;以及利用电浆强化化学气相沉积法(PECVD)沉积一碳化矽层于该半导体基底上,该碳化矽层以同室之氨气电浆进行至少一次电浆处理以移除该碳化矽层之内含氧杂质。图式简单说明:第一图显示根据本发明实施例制作碳化矽薄膜之一流程图。