发明名称 |
非挥发性记忆体中缺陷的区域调整方法及非挥发性记忆体系统 |
摘要 |
一种非挥发性记忆体藉着该卡控制器被分成逻辑区域以降低该资料结构的大小,其利用位址移位。区域边界被调整来适应被记忆体测试所允许的缺陷以改善卡的回收率,并且调整在该领域中的边界来延长该卡的使用寿命。韧体为了该卡上的缺陷区块的存在来扫描。一旦这些区块的位置被得知,该韧体计算该区域边界的方法使得好的区块平均分配在该区域之中。因此好区块数目与藉着该记忆体测试准则所通过的卡测试标准相符,缺陷将会降低卡回收的附带结果。该控制器可以执行动态边界调整。当缺陷发生时,该控制器能够再一次执行该分析以及,如果需要的话,重新分配该区域边界,移除任何使用者资料。 |
申请公布号 |
TWI317946 |
申请公布日期 |
2009.12.01 |
申请号 |
TW092134378 |
申请日期 |
2003.12.05 |
申请人 |
桑迪士克股份有限公司 |
发明人 |
凯文 康里 |
分类号 |
G11C16/02 |
主分类号 |
G11C16/02 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种记忆体系统,包含:一记忆体电路,其由一或多个实体阵列所形成,该等阵列各包含复数个非挥发性储存元件的区块,其中在该等区块之个别区块内的储存元件可以被同时抹除,以及一控制器电路,其控制资料到编址区块中的程式,从该等编址区块读取资料和从一个或多个编址区块一次抹除资料,该控制器电路针对位址变换藉由导入该等实体阵列的逻辑边界,以将各个该等实体阵列细分到区域内,该等区域各自包含一个或多个区块,并且区块到区域的对应可以由该控制器电路作动态调整。 |
地址 |
美国 |