发明名称 曝光方法及装置,以及具有极微细之电路图案之元件制造方法
摘要 本发明系将曝光光束之至少一部份光路上之气体以该曝光光束能穿透之气体加以替换时,以安定、且较少之运转成本加以进行。将包围曝光装置之光束整合单元、照明光学系、标线板平台系、投影光学系、或晶圆平台系等之密闭单元8内气体,藉气体替换单元S以曝光光束穿透之低吸收性气体 GA、GB加以替换。此时,在重复既定次数之以吸气装置7将密闭单元8内之气体减压至较大气压为低之第1气压之步骤,与将该密闭单元8内以低吸收性气体GA、GB充填至第1气体与大气压间之气压为止之步骤后,于该密闭单元8内将低吸收性气体GA、GB充填至大气压附近。
申请公布号 TW481837 申请公布日期 2002.04.01
申请号 TW089114737 申请日期 2000.07.24
申请人 尼康股份有限公司 发明人 白石 直正
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种曝光方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于:将包含该曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;于该密封之空间内将该曝光光束透过之既定气体充填至第1气压附近时,交互地重复复数次将该密封之空间内气体减压至较该第1气压为低之第2气压附近为止的减压步骤;以及在该密封空间内将该既定气体供给至该第1气压与该第2气压间之第3气压为止的充填步骤。2.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中前述曝光光束,系波长为200nm-100nm之光,前述既定气压,系氮气或稀有气体,且前述第1气压在900hPa-1100hPa之范围内,前述第2气压在50Pa-10kPa之范围内。3.一种曝光方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于,包含:将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;将该密封之空间以前述曝光光束透过之第1气体加以替换之第1步骤;以及接着将前述密封二空间以和前述第1气体不同之前述曝光光束透过之第2气体加以替换之第2步骤。4.如申请专利范围第3项之曝光方法,其中前述曝光光束,系波长为200nm-100nm之光,前述第2气体对前述曝光光束之透过率较前述第1气体良好。5.一种曝光装置,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于,具备有:将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封之密闭室;以及于该密闭室内供给前述曝光光束透过之既定气体的气体供给装置;前述气体供给装置,具有包含吸光气体去除过滤器之杂质去除过滤器,以除去该既定气体内所包含之氧气或水蒸汽之至少一方者。6.如申请专利范围第5项之曝光装置,其中前述杂质去除过滤器,进一步具有用以除去前述既定气体中所含之尘埃的集尘过滤器,与用以除去前述既定气体中所含之有机物的有机物去除过滤器,且系沿前述既定气体之流动方向,依前述集尘过滤器、前述有机物去除过滤器、以及前述吸光气去除过滤器之顺序加以配置。7.如申请专利范围第6项之曝光装置,其中前述气体供给装置,具有将前述既定气体送至前述密闭室的送风装置,与控制前述既定气体之温度的温度调整机构,且系沿前述既定气体之流动方向,依前述送风装置、前述杂质去除过滤器、以及前述温度调整机构之顺序加以配置。8.一种曝光装置,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于,具备有:将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封之密闭室;于前述密闭室内供给前述曝光光束透过之既定气体的气体供给装置;测量前述密闭室内空间所残留之既定残留气体之浓度的气体浓度测量装置;以及用以开关前述密闭室内空间与前述气体浓度测量装置间之气体之通路的开关机构。9.如申请专利范围第8项之曝光装置,其中前述气体浓度测量装置,系测量氧气或水蒸汽之至少一方者。10.一种曝光装置,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于,具备有:将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封之密闭室;于前述密闭室内供给前述曝光光束透过之既定气体的气体供给装置;以该气体供给装置进行之前述既定气体之供给路中所设置之开关自如的遮断阀;以及于前述曝光装置之维修时及紧急情况时关闭前述遮断阀以停止将前述既定气体供给至前述密闭室的控制装置。11.一种曝光装置,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于,具备有:将包含该曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封之密闭室;于该密闭室内供给前述曝光光束透过之既定气体至第1气压附近的气体供给装置;前述气体供给装置,具有将前述密封室内之气体减压至较前述第1气压为低之第2气压为止的减压机构,于前述密封室内将前述既定气体供给至前述第1气压与前述第2气压间之气压为止的充填机构,以及控制前述减压机构与前述充填机构、以使前述减压与前述充填重复复数次的控制机构。12.一种曝光装置,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于,具备有:将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封之密闭室;将前述曝光光束透过之第1气体供给至前述密闭室内的第1气体供给装置;将与前述第1气体种类不同且前述曝光光束透过之第2气体供给至前述密闭室内的第2气体供给装置;以及用以调整前述第1及第2气体供给装置所供给之气体之供给量的调整装置。13.如申请专利范围第12项之曝光装置,其中前述调整装置,系在驱动前述第1气体供给装置以将前述第1气体供给至前述密闭室内后,再驱动前述第2气体供给装置以将前述第2气体供给至前述密闭室内。14.一种具有极微细之电路图案之元件制造方法,系经曝光步骤、显影步骤、图案形成步骤、打线步骤、及封装步骤加以制造,其特征在于:包含使用请求项1-4中任一项之曝光方法,将元件图案复制于工件上之步骤。15.一种具有极微细之电路图案之元件制造方法,系经曝光步骤、显影步骤、图案形成步骤、打线步骤、及封装步骤加以制造,其特征在于:包含使用请求项5-13中任一项之曝光装置,将元件图案复制于工件上之步骤。16.一种曝光装置之制造方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于:系以既定之位置关系组合密闭室与气体供给装置;其中密闭室,系将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;气体供给装置,系将前述曝光光束透过之第1气体供给至前述密闭室,具有包含除去前述既定气体内所包含之氧气或水蒸汽之至少一方之吸光气体去除过滤器的杂质去除过滤器。17.一种曝光装置之制造方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于:系以既定之位置关系组合密闭室、气体供给装置、气体浓度测量装置与开关机构;其中密闭室,系将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;气体供给装置,系将前述曝光光束透过之既定气体供给至前述密闭室;气体测量装置,系用来测量前述密闭室内空间所残留之既定残留气体浓度;开关机构,系用来开关前述密闭室内空间与气体浓度测量装置间之气体通路。18.一种曝光装置之制造方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于:系以既定之位置关系组合密闭室、气体供给装置、遮断阀与控制装置;其中密闭室,系将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;气体供给装置,系将前述曝光光束透过之既定气体供给至前述密闭室;遮断阀,系开关自如的设于以前述气体供给装置所进行之前述既定气体之供给路中;控制装置,系在前述曝光装置之维修时及紧急情况时关闭前述遮断阀以停止将前述既定气体供给至前述密闭室。19.一种曝光装置之制造方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于:系以既定之位置关系组合密闭室、减压机构、充填机构与气体供给装置;其中密闭室,系将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;减压机构,系于前述密闭室内将前述曝光光束透过之既定气体供给至第1气压附近,并将前述密闭室内气体减压至较前述第1气压为低之第2气压为止;充填机构,系于前述密封空间内将前述既定气体供给至前述第1气压与前述第2气压间之气压为止;气体供给装置,系包含控制前述减压机构与前述充填机构以使前述减压与前述充填重复复数次的控制装置。20.一种曝光装置之制造方法,系以曝光光束照明第1物体,以通过该第1物体之图案的曝光光束使第2物体曝光,其特征在于:系以既定之位置关系组合密闭室、第1气体供给装置、第2气体供给装置与调整装置;其中密闭室,系将包含前述曝光光束光路之至少一部份的空间加以密封;第1气体供给装置,系将前述曝光光束透过之1气体供给至前述密闭室内;第2气体供给装置,系将与前述第1气体种类不同且前述曝光光束透过之第2气体供给至前述密闭室内;调整装置,系用来调整前述第1及前述第2气体供给装置所供给之气体的供给量。图式简单说明:第1图系显示本发明之实施形态例中所使之投影曝光装置之概略构成图。第2图系显示第1图中代表性之气体替换单元S及对应之密闭单元8之构成图。第3图系显示第2图中之浓度计11A(或浓度计11B)之构成例之图。第4图系显示于本发明之实施形态中,重复进行减压步骤与低吸收性气体之充填步骤时,密闭单元内气压变化之状态之图。第5图系显示本发明之实施形态中,密闭单元之气体替换动作之流程图。
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