| 主权项 |
1.一种晶粒,包括:载有电力供应电压之第一导体;载有接地电压之第二导体;以及至少一个于空乏模式中操作之半导体电容器,半导体电容器在第一与第二导体之间连接,以便在第一与第二导体之间提供去耦合电容量,至少一个半导体电容器具有闸极电压。2.如申请专利范围第1项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有n+闸极多晶矽以及在n-主体中之n+源极/汲极区域。3.如申请专利范围第1项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有p+闸极多晶矽以及在n-主体中之n+源极/汲极区域。4.如申请专利范围第1项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有p+闸极多晶矽以及在n-主体中之p+源极/汲极区域。5.如申请专利范围第1项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有p+闸极多晶矽与在p-主体中之p+源极/汲极区域。6.如申请专利范围第1项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有n+闸极多晶矽与在p-主体中之p+源极/汲极区域。7.如申请专利范围第1项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有n+闸极多晶矽与在p-主体中之n+源极/汲极区域。8.如申请专利范围第1项之晶粒,其中电源供应电压具有比平波段电压较小之绝对电压。9.如申请专利范围第1项之晶粒,进一步包括提供主体电压给至少一个半导体电容器之电压电路,其中闸极电压由第一半导体提供。10.如申请专利范围第1项之晶粒,进一步包括提供主体电压给至少一个半导体电容器之电压电路,其中闸极电压由第二半导体提供。11.如申请专利范围第1项之晶粒,进一步包括提供闸极电压之电压电路,其中至少一个半导体电容器之主体电压经由第一半导体提供。12.如申请专利范围第1项之晶粒,进一步包括提供闸极电压之电压电路,其中至少一个半导体电容器之主体电压经由第二半导体提供。13.如申请专利范围第1项之晶粒,进一步包括介于第一导体与第二导体间之其他电容器,至少部分并未于空乏模式中。14.一种晶粒,包括:载有电力供应电压(Vcc)之第一导体;载有接地电压(Vss)之第二导体;以及电容器具有:(a)导体闸极;(b)绝缘体非导体;(c)半导体主体,其中电容器位于空乏模式中。15.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电容器具有n+闸极多晶矽以及在n-主体中之n+源极/汲极区域。16.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电容器具有p+闸极多晶矽以及在n-主体中之n+源极/汲极区域。17.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电容器具有p+闸极多晶矽以及在n-主体中之p+源极/汲极区域。18.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电容器具有p+闸极多晶矽以及在p-主体中之p+源极/汲极区域。19.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电容器具有n+闸极多晶矽以及在p-主体中之p+源极/汲极区域。20.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电容器具有n+闸极多晶矽以及在p-主体中之n+源极/汲极区域。21.如申请专利范围第14项之晶粒,其中电源供应电压具有比平波段电压较小之绝对电压。22.一种晶粒,包括:载有电力供应电压之第一导体;载有接地电压之第二导体;以及至少一个连接在第一与第二导体间之半导体电容器,以便在第一与第二导体之间提供去耦合电容量,半导体电容器具有闸极电压,半导体电容器具有平波段电压,其中电源供应电压具有比平波段电压较小之绝对电压。23.如申请专利范围第22项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有n+闸极多晶矽以及在n-主体中之n+源极/汲极区域。24.如申请专利范围第22项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有p+闸极多晶矽以及在n-主体中之n+源极/汲极区域。25.如申请专利范围第22项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有p+闸极多晶矽以及在n-主体中之p+源极/汲极区域。26.如申请专利范围第22项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有p+闸极多晶矽以及在p-主体中之p+源极/汲极区域。27.如申请专利范围第22项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有n+闸极多晶矽以及在p-主体中之p+源极/汲极区域。28.如申请专利范围第22项之晶粒,其中至少一个半导体电容器具有n+闸极多晶矽以及在p-主体中之n+源极/汲极区域。图式简单说明:图1为前述技艺电容器之截面图。图2为具有n-主体及零工作函数之电容器之电容量v.闸极-至-主体电压之图示。图3为具有n-主体及非零工作函数之电容器之电容量v.闸极-至-主体电压之图示。图4为根据本发明部分具体实施例之电容器截面图。图5为根据本发明部分具体实施例之电容器截面图。图6为根据本发明部分具体实施例之电容器截面图。图7为具有p-主体及零工作函数之电容器之电容量v.闸极-至-主体电压之图示。图8为具有p-主体及非零工作函数之电容器之电容量v.闸极-至-主体电压之图示。图9为前述技艺电容器之截面图。图10为根据本发明部分具体实施例之电容器截面图。图11为根据本发明部分具体实施例之电容器截面图。图12为根据本发明部分具体实施例之电容器截面图。图13为根据本发明部分具体实施例之具有电容器之晶粒方块图。图14为根据本发明部分具体实施例之具有电容器与电压电路之晶粒方块图。 |
