机械上强硬之打线垫介面及其方法

摘要

一种复合打线垫，其能抵抗在探测或封装过程中可能施加在其上的外力。该复合打线垫包括一非自我钝化的导电打线垫(134)，其系形成在一半导体基片(100)上。一电介质层(136)随后形成在该导电打线垫(134)上。有几个部分的电介质层(136)予以去除，以使一部分的该电介质层(136)成为穿孔层而有部分的导电打线垫(134)暴露出来。电介质层(136)的剩下部分成为支撑结构(138)覆盖在打线垫上。一自我钝化导电的封顶层(204)形成覆盖在打线垫结构上，在该处，电介质层(136)的穿孔允许该封顶层(204)和下层的打线垫(134)的暴露部分之间的电接触。该支撑结构(138)提供一机械障壁，保护该封顶层(204)和该打线垫(134)之间的介面。当该支撑结构(138)保持与该介电质层(136)的未去除部分连接时，可以获得额外的机械上的强韧度，因为由该支撑结构(138)所承受的力量，横越该电介质层(136)分散而不致集中在该打线垫上。

主权项

1.一种制作一半导体元件的方法,包括:制作一导电打线垫(134)在一半导体基片(100)上;制作一电介质层(136)在该导电打线垫(134)上;去除部分的该电介质层(136),其中该电介质层(136)的去除部分形成多个支撑结构(138)其覆在该导电打线垫(134)上,且其中该电介质层(136)的去除部分暴露出部分的该导电打线垫(134);及制作一导电封顶层(204)覆在该复数个支撑结构(138)上,其中该导电封顶层(204)与一部分的该导电打线垫(134)成电接触。2.一种半导体元件,包括:一导电打线垫(134),在一半导体基片(100)上;一电介质层(136),在该导电打线整(134)上;多个支撑结构(138),覆盖在该导电打线垫(134)上;及一导电封顶层,覆在该多个支撑结构(138)上,其中该导电封顶层(204)与一部分的该导电打线垫(134)成电接触。3.一种半导体元件,包括:一导电打线垫(134),在一半导体基片(100)上;一电介质层(136),包含有多个支撑结构(138)覆盖在该导电打线垫(134)上,其中该多个支撑结构(138)系与该电介质层(136)的部分互相连接;及一导电封顶层(204),覆盖在该多个支撑结构(138)上,其中该导电封顶层(204)与该导电打线垫(134)的一部分成电接触。4.一种半导体元件,包括:一导电打线垫(134),在一半导体基片(100)上,其中该导电打线垫(134)包括多个电介质螺栓(302);一电介质层(136),在该导电打线整(134)上;在该导电打线垫(134)上,其中至少该多个支撑结构(138)之一的一部分覆盖在该多个电介质螺栓(302)之一的一部分上;及一覆盖在该多个支撑结构(138)上,其中该导电封顶层(204)与该导电打线垫(134)的一部分成电接触。5.一种半导体元件,包括:一多半含铜的打线垫(134),在一半导体基片(100)上;一电介质层(136),其包含多个支撑结构(138)覆盖在该多半含铜的打线整(134)上;及一含铝封顶层(204),覆盖在该多个支撑结构(138)上,其中该含铝封顶层(204)与该打线垫(134)的部分成电接触。图式简单说明:图1表示一半导体小晶片的一部分的横截面视图,包括一根据本发明特别具体实例的未完全形成的复合打线垫;图2表示一半导体小晶片的一部分的横截面视图,包括一根据本发明特别具体实例的复合打线垫;图3表示另一复合打线势的横截面视图,系根据本发明一替代具体例所实施的;图4表示图3中该打线垫之一顶面视图;图5显示多数个各对应于根据本发明的复合打线垫可能的支撑结构形态的预面视图;及图6表示一根据本发明一特别具体实例的复合打线垫其制作方法的流程图。