| 主权项 |
1.一种磁性石榴石单晶,系以液相叠晶生长法培育,而可以通式BiaPbbA3-a-bFe5-c-dBcPtdO12(式中之A系由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出之至少1种元素,而B则系由Ga、Al、Sc、Ge、Si中选出之至少1种元素,又,a、b、c、d之范围分别为0<a<3.0.0<b≦2.0.0≦c≦2.0.0<d≦2.0)表示者。2.如申请专利范围第1项之磁性石榴石单晶,其中该单晶之膜厚在200m以上者。3.如申请专利范围第2项之磁性石榴石单晶,其中0.5≦b/d≦2.0。4.一种磁性石榴石单晶,系以液相叠晶生长法培育,而可以通式BiaPbbA3-a-bFe5-c-dBcGedO12(式中之A系由钇Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出之至少1种元素,而B则系由Ga、Al、Sc、Ge、Si中选出之至少1种元素,又,a、b、c、d之范围分别为0<a<3.0.0<b≦2.0.0≦c≦2.0.0<d≦2.0)表示者。5.如申请专利范围第4项之磁性石榴石单晶,其中该单晶之膜厚系在200m以上者。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之磁性石榴石单晶,其可用于形成一法拉第转子。7.如申请专利范围第6项之磁性石榴石单晶,其中该法拉第转子之插入损失系在0.1dB以下者。 |
