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Eine SiC-Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat (1), eine auf einer ersten Oberfläche des Substrats (1) angeordnete Driftschicht (2), einen oberhalb der Driftschicht (2) angeordneten Grundbereich (3), einen oberhalb des Grundbereichs (3) angeordneten Sourcebereich (4), einen Graben (7), der den Sourcebereich (4) und den Grundbereich (3) bis zur Driftschicht (2) durchstößt, eine auf einer Oberfläche des Grabens (7) angeordnete Gate-Isolationsschicht (8), eine auf einer Oberfläche der Gate-Isolationsschicht (8) angeordnete Gateelektrode (9), eine mit dem Sourcebereich (4) und dem Grundbereich (3) elektrisch verbundene erste Elektrode (10), angeordnete zweite Elektrode (13) und eine Schicht (6) vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die an einem Teil des Grundbereichs (3), der sich unter dem Sourcebereich (4) befindet, angeordnet ist. Die Schicht (6) vom zweiten Leitfähigkeitstyp besitzt den zweiten Leitfähigkeitstyp und hat eine Konzentration an Fremdatomen (Fremdionen), die höher ist als diejenige des Grundbereichs (3).
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