发明名称 光照射装置,其制造方法,以及使用该光照射装置之照明装置
摘要 本发明之目的在于提供一种散热性佳的光照射装置。系在于提供一种包含有:被电性隔离的复数个导电路径51;固设在所希望之导电路径51上的光半导体元件65;以及被覆该光半导体元件65且构成一体支持上述导电路径51之透镜的可透光绝缘树脂67之散热性佳的光照射装置68。
申请公布号 TW507482 申请公布日期 2002.10.21
申请号 TW090112600 申请日期 2001.05.25
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 本则明;小林义幸;阪本纯次;真下茂明;大川克实;前原荣寿;高桥幸嗣
分类号 H05K1/05 主分类号 H05K1/05
代理机构 代理人 洪武雄 台北市博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市博爱路八十号六楼
主权项 1.一种光照射装置,其特征为包含有:被电性隔离的复数个导电路径;固设在所希望之导电路径上的光半导体元件;以及被覆该光半导体元件且构成一体支持上述导电路径的可透光树脂。2.如申请专利范围第1项之光照射装置,其中上述复数个导电路径系利用隔离槽来电性隔离,且于上述隔离槽上填充有上述树脂。3.如申请专利范围第2项之光照射装置,其中上述复数个导电路径之表面系由上述树脂所被覆,且其表面露出。4.如申请专利范围第1项之光照射装置,其中,设有用以连接上述光半导体元件之电极与其他之上述导电路径的连接机构。5.如申请专利范围第1项之光照射装置,其更具有由与形成于上述导电路径上面之上述导电路径不同金属材料所构成的导电被覆膜。6.如申请专利范围第5项之光照射装置,其中上述导电被覆膜,系至少形成至上述隔离槽之开口部的内侧为止。7.如申请专利范围第5项之光照射装置,其中上述导电被覆膜,系形成于上述隔离槽之开口部的外侧上。8.如申请专利范围第1项之光照射装置,其中上述导电路径,系由铜、铝、铁-镍、铜-铝、铝-铜-铝之任一种的导电箔所构成。9.如申请专利范围第5项之光照射装置,其中上述导电被覆膜,系由镍、金、银、钯、铝或银等制成的电镀膜所构成。10.如申请专利范围第4项之光照射装置,其中上述连接机构,系由搭接细线所构成。11.如申请专利范围第1项之光照射装置,其中上述导电路径,系当作电极、搭接焊垫或晶粒焊垫区域来使用。12.如申请专利范围第1项之光照射装置,其更具有弯曲部,而该弯曲部系在形成有上述导电被覆膜之上述导电路径之用以固设上述光半导体元件的区域周围,具有用以使上述光半导体元件之光朝上方反射的倾斜。13.一种照明装置,其特征为:在复数个金属基板上具备有如申请专利范围第1项所记载的光照射装置。14.一种光照射装置之制造方法,其特征为包含有:在至少除了成为导电路径之区域外的上述导电箔上形成厚度比该导电箔还浅的隔离槽以形成由复数个导电路径的步骤;在上述复数个导电路径上固设各光半导体元件的步骤;以填充上述隔离槽的方式,利用可透光树脂被覆上述各光半导体元件的步骤;以及去除未设有上述隔离槽之侧之上述导电箔,俾使上述树脂露出的步骤。15.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其更包含有在固设上述光半导体元件之步骤之前于上述导电路径之预定区域上形成导电被覆膜的步骤。16.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其更包含有在被覆上述树脂的步骤之前形成连接机构以电性连接上述所希望之光半导体元件之电极与上述导电路径的步骤。17.如申请专利范围第15项之光照射装置之制造方法,其更包含有在形成上述导电被覆膜之后以包围住上述导电箔之至少用以固设光半导体元件之区域的方式将该导电箔予以弯曲的步骤。18.如申请专利范围第17项之光照射装置之制造方法,其更包含有在利用树脂被覆上述光半导体元件的步骤之前,形成连接机构用以电性连接上述所希望之光半导体元件的电极与上述导电路径的步骤。19.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其更包含有用以分离利用上述可透光树脂所被覆之复数个上述光半导体元件彼此之间的步骤。20.如申请专利范围第15项之光照射装置之制造方法,其更包含有用以分离利用上述可透光树脂所被覆之复数个上述光半导体元件彼此之间的步骤。21.如申请专利范围第16项之光照射装置之制造方法,其更包含有用以分离利用上述可透光树脂所被覆之复数个上述光半导体元件彼此之间的步骤。22.如申请专利范围第17项之光照射装置之制造方法,其更包含有用以分离利用上述可透光树脂所被覆之复数个上述光半导体元件彼此之间的步骤。23.如申请专利范围第18项之光照射装置之制造方法,其更包含有用以分离利用上述可透光树脂所被覆之复数个上述光半导体元件彼此之间的步骤。24.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其中上述光半导体元件,系在上述导电路径所构成的第1导电电极上电性连接背面之阴极电极或阳极电极,同样地在上述导电路径所构成的第2导电电极上电性连接表面之阳极电极或阴极电极。25.如申请专利范围第17项之光照射装置之制造方法,其中上述导电箔之弯曲步骤,系以具有可使上述光半导体元件之光朝上方反射之倾斜角的方式而弯曲。26.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其中上述导电箔,系由铜、铝、铁-镍、铜-铝、铝-铜-铝之任一种所构成。27.如申请专利范围第15项之光照射装置之制造方法,其中上述导电被覆膜,系由镍、金、钯、铝或银之任一种所电镀形成。28.如申请专利范围第15项之光照射装置之制造方法,其中上述导电被覆膜,系具有抗蚀性,且当作上述隔离槽形成时之罩幕来使用。29.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其中,选择性地形成于上述导电箔上的上述隔离槽系由化学的或物理的蚀刻法所形成。30.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其中,选择性地形成于上述导电箔上的上述隔离槽,系以该光阻膜为罩幕而化学的或物理的蚀刻法所形成。31.如申请专利范围第16项之光照射装置之制造方法,其中上述连接机构,系由引线接合方式所形成。32.如申请专利范围第14项之光照射装置之制造方法,其中上述可透光树脂,系由移转模塑方式所附着。33.如申请专利范围第19项之光照射装置之制造方法,其中,由上述可透光树脂所被覆之光照射装置系利用切割或压制所分离。图式简单说明:第1图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第2图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第3图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第4图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第5图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第6图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第7图系说明本发明第一实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第8图系说明本发明第一实施形态之光照射装置的俯视图。第9图系说明使用本发明第一实施形态之光照射装置之照明装置的俯视图。第10图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第11图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第12图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第13图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第14图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第15图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第16图系说明本发明第二实施形态之光照射装置之制造方法的截面图。第17图系说明本发明第二实施形态之光照射装置的俯视图。第18系说明使用本发明第二实施形态之光照射装置之照明装置的俯视图。第19图系说明以往之光照射装置的示意图。
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