| 主权项 |
1.一种蚀刻钌膜之方法,包含有:藉由具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液蚀刻在基体上所形成之钌膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中前述的化学溶液系藉由使用氨、有机硷金属、或氢氧化硷而维持PH値不小于12。3.如申请专利范围第1项之方法,其中前述的化学溶液系藉由使用卤化物之氧化剂而维持氧化还原値不小于300mVvsSHE。4.如申请专利范围第1项之方法,其中前述的化学溶液包括强硷性氧化剂溶液或硷金属溶液和氧化剂溶液之混合溶液,且前述的强硷性氧化剂溶液或混合溶液系提供至在基体所形成钌膜之特定部分。5.如申请专利范围第4项之方法,其中前述的强硷性氧化剂溶液包括从次氯酸盐、氯酸盐、或溴酸盐等之卤素族氧化酸盐所选择之溶液。6.如申请专利范围第4项之方法,其中前述的强硷性溶液含有氨、四甲基氨氢氧化物、和三甲胺等之至少其中之一;其中前述的氧化剂溶液可包含有溴、碘、二氧化氯、和臭氧等至少其中之一。7.如申请专利范围第1项之方法,更包括:将强硷性溶液和氧化剂溶液分别提供给基体上形成钌膜的特定部分;和在该特定部分将此二溶液混合以便准备前述的化学溶液。8.如申请专利范围第7项之方法,其中前述的强硷性溶液含有氨、四甲基氨氢氧化物、和三甲胺等之至少其中之一;其中前述的氧化剂溶液可包含有溴、碘、二氧化氯、和臭氧等至少其中之一。9.一种蚀刻钌膜之装置,包括:用于支撑和旋转基体之基体支架;放置在利用前述的基体支架固定之基体正中央上方之用于提供超纯水至基体表面之中央喷嘴;和放置在利用前述的基体支架固定之基体边缘部分上方之用于提供具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液至基体表面之边缘喷嘴。10.如申请专利范围第9项之装置,更包括:放置在利用前述的基体支架固定之基体中央部分正下方之背部喷嘴用于提供具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液至基体背面,或在基体背面提供硷性溶液和氧化剂溶液以便形成具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液。11.一种蚀刻钌膜之装置,包括:用于支撑和旋转基体之基体支架;放置在利用前述的基体支架固定之基体正中央上方之用于提供强硷性溶液和氧化剂溶液其中之一至基体表面之中央喷嘴;和放置在利用前述的基体支架固定之基体边缘部分上方之用于提供强硷性溶液和氧化剂溶液之另一个至基体表面之边缘喷嘴;其中强硷性溶液和氧化剂溶液之混合液所具有之PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE。12.如申请专利范围第11项之装置,更包括放置在利用前述的基体支架固定之基体中央部分正下方之背部喷嘴用于提供具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液至基体背面,或在基体背面提供硷性溶液和氧化剂溶液以便形成具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液。13.一种蚀刻钌膜之装置,包含有:用于支撑和旋转基体之基体支架;可与藉由基体支架而固定之基体斜面区相接触之可旋转化学溶液施加器;和用于提供具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液至化学溶液施加器之化学溶液供应管。14.如申请专利范围第13项之装置,其中前述的基体支架包括用于吸附和支撑基体之真空吸盘15。15.如申请专利范围第13项之装置,其中前述的化学溶液施加器包括海绵卷。16.一种蚀刻钌膜之装置,包括:用于以非接触性方式固定基体前侧表面且旋转此基体之基体支架;和放置成直接面对藉由基体支架固定之基体背部之中央部分的背部喷嘴;其中惰性气体流经基体前侧表面时,从背部喷嘴提供具有PH値不小于12和氧化还原値不小于300mVvsSHE之化学溶液至基体之背部。17.如申请专利范围第16项之装置,其中前述的基体支架包括伯努利吸盘(Bernoulli chuck)。图式简单说明:第1图系显示依据本发明之用于蚀刻钌膜之蚀刻装置之第一实施例的概略图;第2图系显示依据本发明之用于蚀刻钌膜之蚀刻装置之第二实施例的概略图;第3图系显示依据本发明之用于蚀刻钌膜之蚀刻装置之第三实施例的概略图;第4图系显示依据本发明之用于蚀刻钌膜之蚀刻装置之第四实施例的概略图;第5图系显示依据本发明之用于蚀刻钌膜之蚀刻装置之第五实施例的概略图;第6图系显示用于第5图所显示蚀刻装置之边缘喷嘴之驱动机制的概略图;第7图系显示第5图所显示蚀刻装置之边缘喷嘴在固定部分之详细截面图;第8A图系显示第5图所显示蚀刻装置之边缘喷嘴方向与基体平面之平面图;第8B图系显示第5图所显示蚀刻装置之边缘喷嘴方向与基体平面之前视图图;第9图系显示依据第5图之蚀刻装置说明切割边缘宽度之基体平面图;和第10图系显示另一个驱动机制之图示,此机制同时移动第5图之蚀刻装置的中央喷嘴和边缘喷嘴。 |
