主权项 |
1.一种显示装置,属于在于各画素,形成复数之薄膜电晶体及复数之有机场致发光元件,薄膜电晶体及前述有机场致发光元件系直列地连接,切换薄膜电晶体之开启关闭状态,经由控制有机场致发光元件发光之面积,实现灰阶的显示装置中,其特征系复数之有机场致发光元件系各为相同之形状,经由控制有机场致发光元件发光之个数,实现灰阶者。2.如申请专利范围第1项记载之显示装置,其中,复数之有机场致发光元件系呈圆形者。3.如申请专利范围第1项记载之显示装置,其中,复数之有机场致发光元件系于横方向或纵方向,呈等间隔配置者。4.一种显示装置,其特征系于各画素,形成电晶体及有机场效发光元件,薄膜电晶体及有机场效发光元件之平面形状系不具有顶点及构造者。图式简单说明:【图1】显示以往之变化TET导电,实现灰阶显示之TFT-OELD之画素图。【图2】TFT-OELD之截面图。【图3】显示以往之变化OELD之发光面积,实现灰阶显示之TFT-OELD之画素图。【图4】显示以往之变化OELD之发光面积,实现灰阶显示之TFT-OELD之驱动方法图。【图5】以往之变化OELD之发光面积,实现灰阶显示之TFT-OELD之OELD之截面图(储存体侧面为亲液性时)。(a)系OELD(下位位元)之图、(b)系OELD(上位位元)之图。【图6】以往之变化OELD之发光面积,实现灰阶显示之TFT-OELD之OELD之截面图(储存体侧面为拨液性时)。(a)系OELD(下位位元)之图、(b)系OELD(上位位元)之图。【图7】显示有关本发明之实施例1之TFT-OELD画素图。【图8】显示有关本发明之实施例2之TFT-OELD画素图。【图9】显示有关本发明之实施例3之TFT-OELD画素图。 |