| 摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Transistorbauelements mit einer Feldplatte, das aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers mit einer ersten Seite und mit wenigstens einem sich, ausgehend von der ersten Seite in den Halbleiterkörper hinein erstreckenden ersten Graben; Herstellen einer Feldplattendielektrikumsschicht auf der ersten Seite und an freiliegenden Flächen des ersten Grabens, derart, dass ein Restgraben verbleibt; Herstellen einer Feldplattenschicht in dem Restgraben; Freilegen der ersten Seite des Halbleiterkörpers mittels eines Polierverfahrens; teilweises Entfernen der Feldplattendielektrikumsschicht, ausgehend von der ersten Seite aus dem wenigstens einen ersten Graben.
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