横向电流阻障发光二极体及其制造方法

摘要

一种横向电流阻障发光二极体(LightEmittingDiode；LED)及其制造方法。本发明之结构与制造方法之特征在于，利用蚀刻等技术在发光二极体之两电极间形成凹槽，且此凹槽之深度至少达到主动层，藉以阻障两电极间之横向电流。运用本发明之横向电流阻障发光二极体及其制造方法，可藉以增加电流经过主动层的机率，因而提高LED之亮度；以及可提高主动层产生的光子经由凹槽之侧面逸出的机会，藉以增加主动层所产生的光子之输出效率。