发明名称 | 形成介电层之间黏着力的方法与结构 | ||
摘要 | 一形成介电层之间黏着力的方法,包含形成一第一介电层以及形成一第二介电层,其中形成第二介电层包含形成一第一部分以及形成一第二部分。在第一介电层上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。藉由原处(in–situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介电系数或硬度或SiCH3/SiO面积比(arearatio)高于第二部分。一种加强内黏着(enhanced–inter–adhesion)之介电层结构,包含一第一介电层,以及一第二介电层有一第一部分位于第一介电层之上以及第二部分位于第一部分之上,其中第一部分有一介电系数大约是2.8至3.5且高于第二部分之介电系数。 | ||
申请公布号 | TW200408008 | 申请公布日期 | 2004.05.16 |
申请号 | TW092132046 | 申请日期 | 2003.11.14 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴欣昌 |
分类号 | H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 代理人 | 陈达仁;谢德铭 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路三号 |