发明名称 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜积层电容、电子电路、以及电子机器
摘要 含有以任何混合比例之在既定温度范围之内之至少一部份的温度范围中具有温度上昇同时介电常数上昇之正温度特性的第1铋层状化合物;及在既定温度范围之内之至少一部份的温度范围中具有温度下降同时介电常数上昇之负温度特性的第2铋层状化合物。具体言之,是以组成式:CaxSr(1–x)Bi4Ti4O15表示之铋层状化合物。
申请公布号 TW200423166 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092132372 申请日期 2003.11.19
申请人 TDK股份有限公司 发明人 下幸雄;舟洼浩
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本