于发展金属绝缘体金属电容器之镶嵌整合计划

摘要

本发明系关于具有高k介电层之独特高表面积BEOL电容器结构及其制造方法。该等高表面积BEOL电容器结构可用于类比及混合信号应用中。电容器制成于一沟道内，该沟道内的基座提供额外的表面积。顶部及底部电极系使用镶嵌整合计划形成。介电层则形成为一包含诸如Al2O3、Al2O3／Ta2O5、Al2O3／Ta2O5／Al2O3及类似材料的多层介电薄膜。该介电层可藉由原子层沈积或化学气体沈积等方法沈积而成。该用于电容器中的介电层亦可藉由阳极氧化一金属前驱体生成一高介电常数氧化物层而制成。