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发明名称 A METHOD FOR FORMING A POLY SILICON LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100573482(B1) 申请公布日期 2006.04.24
申请号 KR20040049763 申请日期 2004.06.29
申请人 发明人
分类号 C30B1/00;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/36;H01L21/469;H01L21/8242 主分类号 C30B1/00
代理机构 代理人
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