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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer MOS-Anordnung mit einer Basiszone mit hoher Durchschlagsfestigkeit
摘要
申请公布号 DE69638055(D1) 申请公布日期 2009.11.26
申请号 DE19966038055 申请日期 1996.11.20
申请人 FUJI ELECTRIC CO. LTD. 发明人 KOBAYASHI, TAKASHI;NISHIMURA, TAKEYOSHI;FUJIHIRA, TATSUHIKO
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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