| 摘要 |
<p>Die Erfindung soll ein elektrisches Messverfahren für eine Betriebstemperatur und ein modifiziertes Bauelement zur Durchführung des Verfahrens angeben, welches die Überwachung des Bauelementes verbessert. Temperaturmesswerte sollen ohne Zeitverzögerung geliefert werden und ohne zusätzlichen Flächen für Temperatursensoren zu benötigen. Ortsbezogene Temperaturwerte sollen messbar sein. Vorgeschlagen wird ein Verfahren zu dieser ortsbezogenen elektrischen Messung der Betriebstemperatur eines ebenfalls vorgeschlagenen MOS-Leistungsbauelementes mit einem Gateelektroden-Netzwerk aus einem Material, dessen Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes bekannt ist. Das Gateelektroden-Netzwerk wird in mehrere Messstrecken mit Kontaktpunktpaaren, die jeweils mit Kontakten (71.1, 72.1; 71.2, 72.2; 71.3,7; 72.3,7) verbunden sind, unterteilt. Die Kontaktpunkte jedes Kontaktpunktpaares haben einen bestimmten Abstand voneinander und jede der zwischen den Kontaktpunktpaaren liegenden Messstrecken ist jeweils von den anderen Messstrecken elektrisch isoliert, so dass keine elektrische Beeinflussung zwischen den Messstrecken gegeben ist. Die elektrischen Widerstände der Messstrecken werden direkt an dem Gateelektroden-Netzwerk während des Betriebes des Halbleiter-Leistungsbauelementes bei anliegenden Gatespannungen zwischen den Kontaktpunkten der Gateelektrode (4) mit den Gatespannungen überlagerten Messspannungen (u1,u2,u3) gemessen. Aus den elektrischen Widerständen der Messstrecken werden die Temperaturen des MOS- Halbleiter-Leistungsbauelements an den Messstrecken bestimmt.</p> |
