| 摘要 |
场效性电晶体结构(3p，3n)的间隙物结构(24p，24n)至少在具有固定电荷载子的区段中增强，并且，在该等间隙物结构(24p，24n)中所累积的电荷乃会诱发位在下方之半导体基板(1)中可移动电荷载子的一增强区域(13n，13p)，而该增强区域(13n，13p)则是会降低位在该分别之源极／汲极区域(61，62)以及该分别之场效应电晶体结构(3p，3n)的一通道区域(63)之间的一通道耦接的电阻，且其中，该通道区域乃是受到一闸极电极(21)的一电位的控制，然后，自该场效应电晶体结构(3p，3n)之该闸极电极(21)缩回的源极／汲极区域(61，62)会降低位在该闸极电极(21)以及该分别之源极／汲极区域(61，62)间的一重叠电容。再者，一种用于制造电晶体配置的方法系加以载明，其中，该等电晶体配置具有伴随着以适当方式进行增强之间隙物结构(24n，24p)的n–FETs(3n)以及p–FETs(3p)。 |
