| 发明名称 | 奈米碳管阵列制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种奈米碳管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，于该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层于基底上溅射出一具有厚度梯度之催化剂层，所述之催化剂层较薄处之厚度为1-10奈米，较厚处之厚度为5-20奈米；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，于上述处理后之催化剂层上弯曲生长奈米碳管阵列。本发明藉由上述奈米碳管阵列之制作方法，可实现对奈米碳管阵列局部至少向一个方向弯曲生长之控制。 | ||
| 申请公布号 | TWI317348 | 申请公布日期 | 2009.11.21 |
| 申请号 | TW094125775 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 刘亮;范守善 |
| 分类号 | C01B31/04;C23C14/14;C23C16/26 | 主分类号 | C01B31/04 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种奈米碳管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，于该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层于基底上溅射出一具有厚度梯度之催化剂层，所述之催化剂层较薄处之厚度为1-10奈米，较厚处之厚度为5-20奈米；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，于上述处理后之催化剂层上弯曲生长奈米碳管阵列。 | ||
| 地址 | 台北县土城市自由街2号 | ||