发明名称 用以增进静电放电能力的电晶体布局
摘要 揭露一用于增进静电放电能力的电晶体布局。该布局具有于两侧存有第一主动区与第二主动区的第一闸极区,以及放置在该第二主动区旁,在第二主动区的对面侧置有第三主动区的第二闸极区。于第一及第三主动区形成第一组及第二组接点,并在第二主动区形成第三组接点,其中该第三组接点系与另两组接点水平且偏移放置,使得该第三组接点无接点与第一组及第二组之接点横向地排成一直线。
申请公布号 TWI317551 申请公布日期 2009.11.21
申请号 TW095146831 申请日期 2006.12.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 吴宜勋;李建兴;游国丰;汤钦昕;丁正群
分类号 H01L27/02 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种用以增进静电放电能力的电晶体布局,该布局包含:一第一闸极区,于其两侧形成第一主动区与第二主动区;一第二闸极区,放置在该第二主动区旁,在该第二闸极区之该第二主动区的对面侧置有一第三主动区;至少一个第一组接点于该第一主动区形成,其中该接点依预定的距离隔开;至少一个第二组接点,于该第三主动区形成,其中该接点依预定的距离隔开;以及至少一个第三组接点,于该第二主动区形成;其中该第三组接点系与另两组接点水平且偏移放置,使得该第三组接点中无接点与该第一组及第二组之接点横向地排成一直线;其中该第一与第二组接点并非横向地连成一直线。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号