发明名称 |
发光二极体、发光二极体之制造方法、集成发光二极体、集成发光二极体之制造方法、发光二极体背光、发光二极体照明装置、发光二极体显示器、电子设备、电子装置、及电子装置之制造方法 |
摘要 |
在此所揭示者为一发光二极体,其包含:一第一导电率型式之第一半导体层;一在该第一半导体层上之活性层;一在该活性层上之第二导电率型式的第二半导体层;一第一电极,系组构而被电耦接至该第一半导体层;及一第二电极,系组构而被设置在该第二半导体层上,且电耦接至该第二半导体层,该第二电极包含一具有预定形状且主要由银所构成之第一金属膜、及一覆盖该第一金属膜且主要由钯及/或铂所构成之第二金属膜。 |
申请公布号 |
TWI317565 |
申请公布日期 |
2009.11.21 |
申请号 |
TW095149241 |
申请日期 |
2006.12.27 |
申请人 |
新力股份有限公司 |
发明人 |
渡部义昭;日野智公 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种发光二极体,其包含:一第一导电率型式之第一半导体层;一在该第一半导体层上之活性层;一在该活性层上之第二导电率型式的第二半导体层;一第一电极,系组构而被电耦接至该第一半导体层;及一第二电极,系组构而被设置在该第二半导体层上,且电耦接至该第二半导体层,该第二电极包括一具有预定形状且主要由银所构成之第一金属膜、及一覆盖该第一金属膜且主要由钯及/或铂所构成之第二金属膜。 |
地址 |
日本 |