发明名称 发光二极体、发光二极体之制造方法、集成发光二极体、集成发光二极体之制造方法、发光二极体背光、发光二极体照明装置、发光二极体显示器、电子设备、电子装置、及电子装置之制造方法
摘要 在此所揭示者为一发光二极体,其包含:一第一导电率型式之第一半导体层;一在该第一半导体层上之活性层;一在该活性层上之第二导电率型式的第二半导体层;一第一电极,系组构而被电耦接至该第一半导体层;及一第二电极,系组构而被设置在该第二半导体层上,且电耦接至该第二半导体层,该第二电极包含一具有预定形状且主要由银所构成之第一金属膜、及一覆盖该第一金属膜且主要由钯及/或铂所构成之第二金属膜。
申请公布号 TWI317565 申请公布日期 2009.11.21
申请号 TW095149241 申请日期 2006.12.27
申请人 新力股份有限公司 发明人 渡部义昭;日野智公
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种发光二极体,其包含:一第一导电率型式之第一半导体层;一在该第一半导体层上之活性层;一在该活性层上之第二导电率型式的第二半导体层;一第一电极,系组构而被电耦接至该第一半导体层;及一第二电极,系组构而被设置在该第二半导体层上,且电耦接至该第二半导体层,该第二电极包括一具有预定形状且主要由银所构成之第一金属膜、及一覆盖该第一金属膜且主要由钯及/或铂所构成之第二金属膜。
地址 日本