发明名称 互补式金氧半导体影像感测器
摘要 一种互补式金氧半导体影像感测器,制作于一基底上,且包括转移电晶体、重置电晶体、源极随耦器电晶体、选择电晶体、光二极体及浮动节点结构。其中,基底具有一浮动节点区位于转移电晶体与重置电晶体之间,浮动节点结构包括P型井区、N型井区、N型轻掺杂区、N型重掺杂区及接触窗。P型井区配置于浮动节点区内的基底中。N型井区配置于浮动节点区外的基底中。N型轻掺杂区有一部分配置于P型井区中,另一部分则连接至N型井区。N型重掺杂区配置于N型井区中。接触窗是用以耦接N型重掺杂区与源极随耦器电晶体。
申请公布号 TWI317554 申请公布日期 2009.11.21
申请号 TW095145366 申请日期 2006.12.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 高境鸿
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 戴俊彦;王恕怡
主权项 一种互补式金氧半导体影像感测器,制作于一基底上,且包括一转移电晶体、一重置电晶体、一源极随耦器电晶体、一选择电晶体、一光二极体及一浮动节点结构,其中该基底具有一浮动节点区位于该转移电晶体与该重置电晶体之间,且该浮动节点结构包括:一P型井区,配置于该浮动节点区内的该基底中;一N型井区,配置于该浮动节点区外的该基底中;一N型轻掺杂区,其有一部分配置于该P型井区中,另一部分延伸至该浮动节点区外,而与该N型井区相连接;一N型重掺杂区,配置于该N型井区中;以及一接触窗,用以耦接该N型重掺杂区与该源极随耦器电晶体。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号