| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de contrôle de la fabrication de circuits intégrés, comprenant des étapes de détermination de paramètres caractéristiques d'une courbe d'intensité de rayonnement appliqué à une plaquette de semi-conducteur (W) au travers d'un masque (MSK), en des zones critiques de structures à former sur la plaquette, pour chacune des zones critiques, placement d'un point de mesure dans un espace multidimensionnel dont chaque dimension correspond à l'un des paramètres caractéristiques, placement dans l'espace multidimensionnel de points de contrôle répartis autour d'une région délimitée par les points de mesure, de manière à délimiter une enveloppe entourant la région, pour chaque point de contrôle, définition de structures de contrôle (CS) correspondant chacune à un point de contrôle, générer un masque contenant les structures de contrôle, application à une plaquette de semi-conducteur d'un traitement faisant intervenir le masque généré, et analyse des structures de contrôle transférées à la plaquette pour y détecter des défauts éventuels. |
