发明名称 半导体装置的制造方法及基板处理装置
摘要 [课题]提供一种可极大地贡献于高核密度形成之半导体装置的制造方法及基板处理装置。[解决手段]本发明之半导体装置的制造方法,其包含:将表面形成有绝缘膜之晶圆200搬入反应管203内之步骤;将矽系气体导入反应管203内,以在形成于晶圆200表面之绝缘膜上进行形成矽粒之处理的步骤;及将处理后之晶圆200自反应管203内搬出的步骤,在导入该矽系气体之前,使掺杂气体流动于反应管203内。
申请公布号 TW200737309 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095149436 申请日期 2006.12.28
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 高泽裕真;赤江尚德
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 日本