| 发明名称 |
METHOD FOR THE THERMAL CURING AND ELECTRICAL ACTIVATION OF IMPLANTED SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum thermischen Ausheilen von Gitterdefekten und elektrischen Aktivieren von Dotierstoffionen eines durch Implantation von Dotierstoffionen dotierten Siliziumcarbidhalbleiters (11), bei dem durch eine erste Wärmebehandlung eine Graphitdeckschicht auf wenigstens einer Oberfläche des Siliziumcarbidhalbleiters erzeugt wird, und der mit einer Graphitdeckschicht versehene Siliziumcarbidhalbleiter einer zweiten Wärmebehandlung unterzogen wird, wobei die erste und zweite Wärmebehandlung in einem selben Ofen (1) durchgeführt werden, und wobei die Umgebung (9) des Siliziumcarbidhalbleiters (11) während der ersten Wärmebehandlung evakuiert wird.</p> |
| 申请公布号 |
WO2009138318(A1) |
申请公布日期 |
2009.11.19 |
| 申请号 |
WO2009EP54983 |
申请日期 |
2009.04.24 |
| 申请人 |
SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO. KG;HOELZLEIN, KARLHEINZ;PETERS, DETHARD;MITLEHNER, HEINZ |
发明人 |
HOELZLEIN, KARLHEINZ;PETERS, DETHARD;MITLEHNER, HEINZ |
| 分类号 |
H01L21/04 |
主分类号 |
H01L21/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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