发明名称 用于防止等离子体抑制物质形成的方法和装置
摘要 本发明提供了一种防止在等离子体腔内形成等离子体抑制物质的系统和方法。在一个实施例中,一种装置包括构造为布置于等离子体腔内的阻挡部件。阻挡部件包括限定在此处从流体形成化学还原物质的等离子体形成区域的壁。壁的一部分由对于化学还原物质基本上惰性的物质构成。壁防止化学还原物质与等离子体腔的内表面相互作用从而形成传导性物质。阻挡部件还包括与等离子体形成区域流体相通的开口。流体经由开口引入等离子体形成区域。
申请公布号 CN101583738A 申请公布日期 2009.11.18
申请号 CN200780049138.9 申请日期 2007.12.03
申请人 先进能源工业公司 发明人 F·G·托马塞拉;J·莫克;A·沙巴林;D·M·肖;J·J·冈萨雷斯
分类号 C23C16/453(2006.01)I 主分类号 C23C16/453(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 杨胜军;蔡洪贵
主权项 1.一种装置,其包括:构造为布置于等离子体腔内的阻挡部件,所述阻挡部件具有:用于限定等离子体形成区域的壁,在所述等离子体形成区域处从流体点火化学还原物质,所述壁的至少一部分由对于化学还原物质基本上惰性的物质构成,所述壁防止化学还原物质形成传导性物质;以及与所述等离子体形成区域流体相通的开口,流体经由所述开口引入所述等离子体形成区域。
地址 美国科罗拉多州