| 发明名称 | 半导体装置、场效应晶体管及其栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置、金属氧化物半导体场效应晶体管及其栅极的制造方法。金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极包含栅极金属层形成在高介电常数介电层之上。利用低含氧量沉积工艺在不以带电离子撞击晶片基板的情形下，形成上述金属栅极。利用上述工艺形成的栅极金属层具有低含氧量，并可避免界面氧化层重新成长。上述形成栅极金属层的工艺可避免对晶片基板造成等离子体损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101582379A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200810167657.1 | 申请日期 | 2008.10.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林正堂;邱永升;王湘仪;余佳霖;余振华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 红 |
| 主权项 | 1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：形成一高介电常数介电层在一半导体基板上；形成一第一金属层在该高介电常数介电层上，该第一金属层具低含氧量；以及形成一第二金属层在该第一金属层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||