发明名称 一种多晶硅薄膜太阳能电池
摘要 本发明公开了一种薄膜多晶硅太阳能电池,包括衬底、前电极、薄膜多晶硅PN结和背电极。其中衬底材料可以是玻璃、不锈钢、陶瓷、塑料或其他一些柔性的材料。采用透明导电薄膜和金属电极为电极材料,采用薄膜多晶硅PN结作为光电转换层。通过使用PECVD法制备非晶硅薄膜,然后通过激光烧焙法将非晶硅薄膜晶化,最终获得薄膜多晶硅。具体结构和生产工艺可以根据不同的条件和要求进行调节,最终获得低成本、工艺简单、无污染,大面积和高转换率的薄膜多晶硅太阳能电池。
申请公布号 CN101582466A 申请公布日期 2009.11.18
申请号 CN200910080145.6 申请日期 2009.03.24
申请人 新奥光伏能源有限公司 发明人 孙书龙;谷士斌;王锐
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 代理人 李维真;王建国
主权项 1.一种多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,包括衬底、前电极、薄膜多晶硅PN结、背电极。
地址 065001河北省廊坊市开发区华祥路106号