发明名称 | 单端含双羟乙基的聚硅氧烷的合成方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种单端含双羟乙基的聚硅氧烷的合成方法。本发明中的制备方法以二乙醇胺、六甲基二硅氮烷、丙烯酸烯丙醇酯为原料,经羟基保护和迈克尔加成反应得到{3-[双(三甲基硅氧基)乙基]}氨基丙酸烯丙醇酯;以D<sub>3</sub>(六甲基环三硅氧烷)为原料,经阴离子开环聚合反应得到单端含硅氢基团的聚硅氧烷;再以{3-[双(三甲基硅氧基)乙基]}氨基丙酸烯丙醇酯与单端含硅氢基团的聚硅氧烷为原料,经硅氢加成和醇解反应得到单端含双羟乙基的聚硅氧烷,产品纯度在98%以上。本发明具有反应条件温和,原料易得,产品收率、纯度高等优点。 | ||
申请公布号 | CN101580589A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
申请号 | CN200910016270.0 | 申请日期 | 2009.06.25 |
申请人 | 邬元娟;张萌;陈子雷;岳辉;郭栋梁;汝医 | 发明人 | 邬元娟;张萌;陈子雷;岳辉;郭栋梁;汝医 |
分类号 | C08G77/388(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/388(2006.01)I |
代理机构 | 济南诚智商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 王汝银 |
主权项 | 1、一种单端含双羟乙基的聚硅氧烷的合成方法,其特征是,以二乙醇胺、六甲基二硅氮烷、丙烯酸烯丙醇酯为原料,经羟基保护和迈克尔加成反应得到{3-[双(三甲基硅氧基)乙基]}氨基丙酸烯丙醇酯;以D3(六甲基环三硅氧烷)为原料,经阴离子开环聚合反应得到单端含硅氢基团的聚硅氧烷;再以{3-[双(三甲基硅氧基)乙基]}氨基丙酸烯丙醇酯与单端含硅氢基团的聚硅氧烷为原料,经硅氢加成和醇解反应得到单端含双羟乙基的聚硅氧烷。 | ||
地址 | 250100山东省济南市历城区桑园路28号 |