发明名称 |
速度或电力关键电路中用多临界电压基本设计单元的方法 |
摘要 |
本发明提供一种速度或电力关键电路中用多临界电压基本设计单元的方法。所述在速度关键电路中使用多临界电压基本设计单元的方法,包括:使用一或多低临界电压基本设计单元,形成上述速度关键电路的初步实体布局;在不违反一速度限制的条件下,用一或多高临界电压基本设计单元,替代在上述速度关键电路的一或多非关键路径内的至少部分上述低临界电压基本设计单元;以及在不违反上述速度限制的条件下,用一或多高临界电压元件,替代位于上述速度关键电路的一关键路径上至少一低临界电压基本设计单元内的一或多元件,该低临界电压基本设计单元在该关键路径上。本发明可减少功率消耗时同时维持速度,使得晶片效能和功率消耗可同时最佳化。 |
申请公布号 |
CN100561486C |
申请公布日期 |
2009.11.18 |
申请号 |
CN200610079253.8 |
申请日期 |
2006.04.20 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
庄建祥;侯永清;陈昆龙;鲁立忠 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种在速度关键电路中使用多临界电压基本设计单元的方法,其特征在于,所述在速度关键电路中使用多临界电压基本设计单元的方法包括:使用一或多低临界电压基本设计单元,形成上述速度关键电路的初步实体布局;在不违反一速度限制的条件下,用一或多高临界电压基本设计单元,替代在上述速度关键电路的一或多非关键路径内的至少部分上述低临界电压基本设计单元;以及在不违反上述速度限制的条件下,用一或多高临界电压元件,替代位于上述速度关键电路的至少一低临界电压基本设计单元内一非关键路径上的一或多低临界电压元件,该低临界电压基本设计单元在关键路径上。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |