防止位线崩溃的COB-DRAM的位线制作方法

摘要

本发明涉及防止位线崩溃的COB-DRAM的位线制作方法。该方法采用“相反-位线”(Reverse-Bitline)制作方法。即在形成位线插塞金属以及淀积第一氧化物层后进行位线沟槽刻蚀，然后形成位线间隔层后，填充位线金属与氧化物层之间的阻障层及位线金属，并对其进行平坦化以及回蚀，形成位线，再形成硬掩模以及淀积第二氧化物层而制成。该方法的优点是不管位线的检测关键尺寸是否太小，都不会产生位线崩溃的问题。

主权项

1.防止位线崩溃的COB-DRAM的位线制作方法，包括如下步骤：a)淀积用于形成第二多晶硅接触孔的氧化物层；b)刻蚀形成第二多晶硅接触孔；c)进行金属插塞的接触金属与氧化物层之间的阻障层金属淀积及金属插塞的接触金属淀积；d)进行其阻障层与金属插塞的接触金属的平坦化，终止于形成第二多晶硅接触孔的氧化物层；e)淀积一第一氧化物层，及形成位线沟槽光刻胶图案；f)位线沟槽刻蚀；g)位线间隔层淀积，及其回蚀；h)位线金属与氧化物层之间的阻障层金属淀积；i)位线金属淀积，及其平坦化，终止于已形成位线沟槽的第一氧化物层；j)位线金属回蚀；k)位线硬掩模材料淀积，及其回蚀，停止于已形成位线沟槽的第一氧化物层；l)淀积第二氧化物层。