CMOS图像传感器的形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，本发明在形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙工艺步骤之后在光电二极管区域的表面形成第二绝缘层进行保护，防止了随后的离子注入工艺中的光刻胶层沾污以及在表面形成金属离子。本发明在没有增加掩模版即工艺复杂度和工艺成本条件下，采用用来形成多晶硅栅侧墙第一绝缘层中的一层或者两层作为光电二极管区域的第二绝缘层对光电二极管表面进行保护，减小了暗电流的产生。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，所述光电二极管区域半导体衬底中形成有具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第一导电类型与第二导电类型相反，所述外围电路区域形成有MOS晶体管的多晶硅栅；在半导体衬底表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层为第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层组合构成；在外围电路区域采用第一绝缘层形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙，同时保留半导体衬底表面上所述第一绝缘层的所述第一氧化硅层；保留光电二极管区域的表面残留的所述第一氧化硅层，去除外围电路区域的表面的所述第一氧化硅层，在外围电路区域形成MOS晶体管的低掺杂源/漏扩散区和源/漏极；在光电二极管区域表面残留的所述第一氧化硅层之下的半导体衬底中形成具有第一导电类型的浅掺杂阱。