| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光二极管和其制作方法，其中在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。所得装置是无磷光体的白光光源。 | ||
| 申请公布号 | CN101584047A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200680004323.1 | 申请日期 | 2006.02.07 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | 拉亚·夏尔马;保罗·摩根·帕蒂森;约翰·F·克丁;中村修二 |
| 分类号 | H01L29/22(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体发光装置的方法，其包含：在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||