发明名称 带有双栅极发射体阴极控制结构的平板显示器及其制作工艺
摘要 本发明涉及一种带有双栅极发射体阴极控制结构的平板显示器及其制作工艺,包括有如下的组成部分:由阴极面板、阳极面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔,阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层,在阴极面板上制备有碳纳米管阴极以及双栅极发射体阴极控制结构,具有制作过程成本低廉、成品率高、结构简单、稳定可靠的优点。
申请公布号 CN100561642C 申请公布日期 2009.11.18
申请号 CN200510048410.4 申请日期 2005.10.18
申请人 中原工学院 发明人 李玉魁
分类号 H01J29/02(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01J29/02(2006.01)I
代理机构 郑州科维专利代理有限公司 代理人 刘卫东
主权项 1、一种带有双栅极发射体阴极控制结构的平板显示器,包括由阴极面板[1]、阳极面板[11]以及四周玻璃围框[15]所构成的密封真空腔、阳极面板[11]上有光刻的锡铟氧化物薄膜层[12]以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层[14]、在阴极面板上制备的碳纳米管阴极[10],其特征在于:在阴极面板上制备有双栅极发射体阴极控制结构;每一个像素点下对应的碳纳米管阴极都制备有一个用于调整碳纳米管场致发射电子的能力,达到使得整体碳纳米管阴极能够均匀、稳定发射电子的所述双栅极发射体阴极控制结构;所述双栅极发射体阴极控制结构包括衬底材料、在衬底材料上制备的二氧化硅层[2]、在二氧化硅层上制备的带有导电沟道的掺杂硅层[3]、在掺杂硅层上制备的二氧化硅隔离层[4]、穿过二氧化硅隔离层[4]设置在掺杂硅层[3]上的漏极[5]和源极[8]、设置在二氧化硅隔离层[4]上的控制栅极[6]、阴极调节电极[7]和二氧化硅覆盖层[9],所述二氧化硅覆盖层[9]覆盖了所述源极[8]、控制栅极[6]以及阴极调节电极[7],漏极[5]、控制栅极[6]、阴极调节电极[7]和源极[8]互不相连;碳纳米管印刷在双栅极发射体阴极控制结构中的漏极[5]上。
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