包含表面清洁步骤的制造半导体装置的方法

摘要

一种包含表面清洁的制造半导体装置的方法，包括在半导体基板上形成栅极叠层，每一栅极叠层包括第一导电层、该栅极叠层侧上的间隔物、及位于该栅极叠层顶部的覆盖层；在该栅极叠层上形成绝缘层，由此填充相邻的栅极叠层间的区域。通过使用该间隔物及该覆盖层作为蚀刻阻挡来蚀刻该绝缘层以形成接触孔；通过混合氢氟酸溶液与二醇或者通过混合氢氟酸溶液与异丙醇来制备蚀刻剂，该氢氟酸溶液包含氢氟酸、氟离子及二氟氢离子的至少一种；使用该蚀刻剂以降低该绝缘层、该间隔物和该覆盖层的每一个相对于污染物的蚀刻选择率至3以下，从而清洁该接触孔和存在于经接触孔而露出的该半导体基板表面的污染物，并以导电层填充接触孔以形成连接接触。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：通过混合氢氟酸溶液与二醇或者通过混合氢氟酸溶液与异丙醇来制备蚀刻剂，所述氢氟酸溶液包含氢氟酸、氟离子及二氟氢离子的至少一种；以及使用所述蚀刻剂来清洁在清洁目标层表面上的污染物。