ICP反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法

摘要

本发明涉及一种感应耦合等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法，将半导体晶圆上的多晶硅栅极进行光阻去除处理后放置于感应耦合等离子体反应器中、在没有加载射频偏压电源的条件下注入活性蚀刻气体对多晶硅栅极晶圆进行各向同性蚀刻形成硅槽、然后在加载射频偏压电源的条件下注入氧气等离子体在多晶硅栅极晶圆表面形成二氧化硅保护层。采用该种感应耦合等离子体反应器控制硅槽深度和二氧化硅保护厚度的方法，实现了独立有效地控制硅槽深度和二氧化硅层的厚度，提高了半导体器件的电特性，成品率高，工作性能稳定可靠，制造成本较低；能够广泛应用于0.13μm工艺处理中，应用范围广泛，为半导体制造工艺的进一步发展奠定了坚实的基础。

主权项

1、一种感应耦合等离子体反应器中控制硅槽深度和二氧化硅保护层厚度的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)将经过光阻去除处理后的多晶硅栅极晶圆放置于感应耦合等离子体反应器中；(2)先在没有加载射频偏压电源的条件下注入活性蚀刻气体对多晶硅栅极晶圆进行各向同性蚀刻，并形成硅槽；(3)然后在加载射频偏压电源的条件下注入氧气等离子体，在多晶硅栅极晶圆表面形成二氧化硅保护层。